IGBT測試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試。系統(tǒng)的測試原理符合相應(yīng)的國家標準，系統(tǒng)為獨立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級擴展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測試，在IGBT的檢測中，采用大電流脈沖對IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測。5系統(tǒng)應(yīng)配有內(nèi)置ups，保證計算機系統(tǒng)在電網(wǎng)短時間掉電情況下，為系統(tǒng)供電0。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補償及步進充電的方法，解決IGBT進行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測問題。

5、感性負載

5.1 有效電感 L 100 200 500 1000 μH；

5.2 電流 Ic 1000 1000 1000 500 A；

外部電感成陣列的內(nèi)部連接。（外部電感的H值傳給PC，以計算電流源的極限，限制脈寬到1000us）。

6、標準的雙控制極驅(qū)動

6.1 門極電阻可人工預(yù)先設(shè)定如：2.5Ω，5Ω，10Ω等；

6.2 開啟（Trun-ON）輸出電壓 Vge ： 15V；

6.3 關(guān)斷（Trun-ON）輸出電壓 Vge- ： -15V；

6.4 脈寬： 10 ~ 1000us （單脈沖、雙脈沖總時間）；

6.5 電壓開關(guān)時間： < 50ns；

6.6 輸出內(nèi)阻： < 0.5Ω；

主要參數(shù) 測試范圍 精度要求 測試條件

Vce

集射極電壓 150～3300V 150～500V±3%±1V；

500～1000V±2%±2V；

1000～3300V±1%±5V； 150～3300V

Ic

集射極電流 1～200A 1～200A±3%±1A； 1～200A

Vge

柵極電壓 -30V～30V -30～0V±1%±0.1V；

0～ 30V±1%±0.1V -30V～30V

Qg

柵極電荷 400~20000nC Ig: 0～50A±3%±0.1mA; 400~20000nC

td(on)、td(off)

開通/關(guān)斷延遲 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns

tr、tf

上升/下降時間 10～1000ns 10~200±2%±2ns；200~1000±2%±5ns；

Eon、Eoff

開通/關(guān)斷能量 1～5000mJ 1～50mJ±2%±0.1mJ；

50～200mJ±2%±1mJ；

200～1000mJ±2%±2mJ；

1000～5000mJ±1%±5mJ；

公司擁有一批長期從事自動控制與應(yīng)用、計算技術(shù)與應(yīng)用、微電子技術(shù)、電力電子技術(shù)方面的人才。公司裝備精良，具有先進的檢測手段，產(chǎn)品生產(chǎn)嚴格按照ISO9001∶2008標準質(zhì)量管理體系運行，其品質(zhì)、技術(shù)及工藝方面保持國內(nèi)，部分產(chǎn)品達到國外同類產(chǎn)品的先進水平。 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于電力、冶金自動化、軌道交通、電力電子新能源開發(fā)等行業(yè)，部分產(chǎn)品出口到歐美等發(fā)達國家。1開關(guān)時間測試單元技術(shù)條件 開通時間測試參數(shù)： 1、開通時間ton：5～2000ns±3%±3ns 2、開通延遲時間td(on)：5～2000ns±3%±3ns 3、上升時間tr：5～2000ns±3%±3ns 4、開通能量：0。