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如圖所示，ASEMI肖特基二極管解剖圖放大后的芯片附近，在基片下邊形成N 陰極層，其作用是減小陰極的接觸電阻。通過調(diào)整結(jié)構(gòu)參數(shù)，N型基片和陽極金屬之間便形成肖特基勢壘，如圖所示。當(dāng)在肖特基勢壘兩端加上正向偏壓(陽極金屬接電源正極，N型基片接電源負(fù)極)時，肖特基勢壘層變窄，其內(nèi)阻變小;反之，若在肖特基勢壘兩端加上反向偏壓時，肖特基勢壘層則變寬，其內(nèi)阻變大。

Schottky Barrier Diode:肖特基勢壘二極管，簡稱：SB,比如：SB107,SB1045CT……

　　Schottky Barrier Diode:也有簡寫為：SBD來命名產(chǎn)品型號前綴的。但SBD不是利用P型半導(dǎo)體與N型半導(dǎo)體接觸形成PN結(jié)原理制作的，而是利用金屬與半導(dǎo)體接觸形成的金屬-半導(dǎo)體結(jié)原理制作的。

　　因此，SBD也稱為金屬-半導(dǎo)體（接觸）二極管或表面勢壘二極管，它是一種熱載流子二極管。

快恢復(fù)二極管MURF1060CT，ASEMI原裝進(jìn)口整流實(shí)力品牌，讓您不再為產(chǎn)品質(zhì)量差、上機(jī)炸毀的問題煩惱?，F(xiàn)此時很多采購商因?yàn)樨潏D便宜而采購些不良產(chǎn)品導(dǎo)致上機(jī)問題煩惱很多，使機(jī)子停止運(yùn)行耽誤了生產(chǎn)產(chǎn)品的時間；俗話說時間就是金錢，因?yàn)樨潏D便宜反而使實(shí)際金額利潤損失了不少，這樣的話是得不償失。如果一開始采購質(zhì)量好的快恢復(fù)二極管，便不會產(chǎn)生那么多的問題和煩惱了，即使因?yàn)閮r(jià)格差的利潤沒賺更多，但反而使工程運(yùn)行更保障，客戶更加信賴，自己也不會徒添許多煩惱而耽誤了其他的事情，所以選擇一款好的元器件是十分重要的！

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采用了臺灣健鼎的一體化測試設(shè)備，減少人工操作環(huán)節(jié)，同時檢測Vb、Io、If、Vf、Ir等12個參數(shù)經(jīng)過6道檢測。更是打破業(yè)界測試標(biāo)準(zhǔn)，將漏電流有5uA加嚴(yán)到2uA以內(nèi)；正向壓降Vf由1.0V加嚴(yán)到0.98V即單顆管芯VF控制在0.49V以內(nèi)。其采用俄羅斯進(jìn)口晶圓Mikron米克朗芯片，具有高抗沖擊能力，電性能穩(wěn)定，可信賴度佳。