在整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國(guó)投入資金的就屬晶圓代工部份。具體來說，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個(gè)步驟為整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)復(fù)雜，且資金投入的領(lǐng)域。    以處理器為例，其所需處理步驟可達(dá)數(shù)百道，且各類加工機(jī)臺(tái)先進(jìn)又昂貴，動(dòng)輒數(shù)千萬美元起跳。而一個(gè)成熟的晶圓代工廠其設(shè)備投入占總設(shè)備比重在70%～80%之間。    氧化：其目的在于生成二氧化硅薄膜。用硅作為半導(dǎo)體原材料的重要因素之一就是硅容易生長(zhǎng)出二氧化硅膜層，這樣在半導(dǎo)體上結(jié)合一層絕緣材料，就可用做摻雜阻擋層、表面絕緣層，及元件中的絕緣部分。




離子植入：其是用來控制半導(dǎo)體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對(duì)半導(dǎo)體表面附近區(qū)域進(jìn)行摻雜技術(shù)。優(yōu)點(diǎn)在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機(jī)主要的供廠商為AMAT，中國(guó)部份只有中電科電子裝備公司能供應(yīng)。市場(chǎng)預(yù)計(jì)今明兩年中國(guó)離子植入機(jī)需求可達(dá)5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個(gè)個(gè)濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應(yīng)商包含應(yīng)用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國(guó)相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國(guó)薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達(dá)到14nm。市場(chǎng)預(yù)計(jì)今明兩年中國(guó)薄膜沉積設(shè)備需求可達(dá)15億美元與20億美元。    測(cè)試：在晶圓完成制造之前，會(huì)有一道晶圓中測(cè)工序。在測(cè)試過程中，會(huì)檢測(cè)每一個(gè)芯片的電路功能。




此時(shí)要注意手不能直接接觸到器件鍍膜表面(可以用工具例如鑷子等，戴指套或橡膠手套)，且擦拭時(shí)要順著一個(gè)方向。    主要部件保養(yǎng)建議（頻率視設(shè)備使用情況靈活調(diào)整）    1.出現(xiàn)異常現(xiàn)象時(shí)，首先切斷一切電源，再進(jìn)行檢查；    2.機(jī)器應(yīng)該放在通風(fēng)的地方或恒溫室中，因?yàn)槌^某一溫度后，會(huì)影響激光器正常工作；    3.保持室內(nèi)及設(shè)備表面整潔干凈；    4.定期檢查各光學(xué)器件是否有污染，如有污染時(shí)清潔；    5.不要重壓升降平臺(tái)，防止精度降低；