離子鍍是在真空蒸發(fā)鍍和濺射鍍膜的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的一種鍍膜技術(shù)，將各種氣體放電方式引入到氣相沉積領(lǐng)域，整個氣相沉積過程都是在等離子體中進行的?！　?

全SUS304不銹鋼機身，隱藏式雙層冷卻水套設(shè)計　　

合理配備多套全新研制的離子弧源，有效保障弧源濺射的穩(wěn)定性與均勻性　　

采用多路進氣系統(tǒng)，精準(zhǔn)控制氣體流量，滿足您多種化合物膜層需求?！　?

裝載大功率脈沖偏壓電源，極大提高電粒子能量，從而獲得的膜層結(jié)合力和光潔度　　

采用創(chuàng)新工藝制造，精益求精，通過歐盟CE和ISO質(zhì)量管理體系認(rèn)證；

蒸鍍中關(guān)鍵的兩個參數(shù)是真空度（≤10-3Pa）和相對蒸發(fā)源的基片距離（10~50cm）。蒸鍍過程中，膜層粒子與真空室中的氣體的碰撞是應(yīng)該避免的，因此，相對蒸發(fā)源的基片距離應(yīng)大于工作狀態(tài)下真空室內(nèi)氣體分子的平均自由程。

濺射鍍膜過程為：氣體放電→等離子體→帶電離子→電場作用→離子加速→高能離子→撞擊靶材→濺射→發(fā)射靶材原子→飛向基板→形成沉積→獲得薄膜。

由于粒子間的碰撞，產(chǎn)生劇烈的氣體電離，使反應(yīng)氣體受到活化。同時發(fā)生陰極濺射效應(yīng)，為沉積薄膜提供了清潔的活性高的表面。因而整個沉積過程與僅有熱的過程有明顯不同。這兩方面的作用，在進步涂層結(jié)協(xié)力，降低沉積溫度，加快反應(yīng)速度諸方面都創(chuàng)造了有利條件。

等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)按等離子體能量源方式劃分，有直流輝光放電、射頻放電和微波等離子體放電等。隨著頻率的增加，等離子體強化CVD過程的作用越明顯，形成化合物的溫度越低。

物理氣相沉積（PVD）工藝已經(jīng)有100多年的歷史了，等離子輔助PVD大約在80年前就申請了專利。術(shù)語“物理氣相沉積”僅在60年代出現(xiàn)。當(dāng)時，需要通過發(fā)展眾所周知的技術(shù)來發(fā)展真空鍍膜工藝，例如濺射，真空，等離子體技術(shù)，磁場，氣體化學(xué)，熱蒸發(fā)，弓形和電源控制，如Powell的書中詳細(xì)描述的。在過去的30年中，等離子輔助PVD（PAPVD）被分為幾種不同的電源技術(shù)，例如直流（DC）二極管，三極管，射頻（RF），脈沖等離子體，離子束輔助涂層等。，該過程在基本理解上存在一些困難，因此引入了必要的更改以提供好處，例如從涂層到基材的出色附著力，結(jié)構(gòu)控制以及低溫下的材料沉積。