。●初級與次級主繞組必須是近相鄰的繞組，這樣耦合會更有利?！耖_關(guān)電源在MOSFET-D端點工作時候產(chǎn)生的干擾是（也是RCD吸收端與變壓器相連的端點），在變壓器繞制時建議將他繞在變壓器的個繞組，并作為起點端，讓他藏在變壓器里層，這樣后面繞組銅線的屏蔽是有較好抑制干擾效果的?！馰CC繞組在計算其圈數(shù)時盡量的在IC工作電壓乘以1.1倍作為誤差值，不用考慮銅線的壓降，因為啟動前電流是非常小的，所以這個電阻并沒有多少影響，幾乎可以忽略不計。

.●反饋光耦供電用12V供電，且取樣點在后級濾波電感前面更好。因為濾波電感前的波動更快的反映前端PWM的調(diào)制狀態(tài)，就算TL431的開啟程度是一定的，因為12V的波動可以讓光耦上反饋到的電流有微小的差異，在反饋環(huán)路一定的情況下，這個光耦供電取樣點的選擇更有利于動態(tài)響應(yīng)和調(diào)整率的平衡控制。?！?2V繞組應(yīng)該放在更接近于初級繞組的地方。這樣更有效的確保12V的電壓變化比例更小，因為我們反饋采樣的是5V端，所以難控制的是12V的繞組。綜合這些將可以更好的控制這兩個繞組的平衡度。雖然不能做到的好，但是相對的來說是有一定參考價值的。

41.一個冷知識，如何測量PCB的銅箔厚度？ 方法：在PCB板上找一條光滑且長的線條，測量其長度L，再測寬度W，再用DC源加1A電流在其兩端測得壓降U 依據(jù)電阻率公式得出以下公式： 例：取一段PCB銅箔，長度L為40mm，寬度為10mm，其通過1A電流兩端壓降為0.005V，求該段銅箔厚度為多少um？ 42.一款36W適配器的EMI整改案例，輸出12V/3A，多圖對比，整改花費時間3周。 變壓器繞法一：Np1→VCC→Ns1→Ns2→銅屏蔽0.9Ts→NpPCB關(guān)鍵布局：Y電容地→大電容地，變壓器地→Vcc電容→大電容地注：變壓器所有出線沒有交叉圖一（115Vac） 圖一所示可以看到，130-200M處情況并不樂觀；130-200M主要原因在于PCB布局問題和二次側(cè)的肖特基回路，改其它地方作用不大，肖特基套磁珠可以完全壓下來，圖忘記保存了。