電池片的制作工藝

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刻蝕工藝

刻蝕目的

將硅片邊緣的帶有的磷去除干凈，避免 PN 結(jié)短路造成并聯(lián)電阻降低。

刻蝕原理

采用干法刻蝕。采用高頻輝光放電反應(yīng)， 采用高頻輝光放電反應(yīng)，使反應(yīng)氣體激活成活性粒子，如原子或各種游離基，這些活性粒子擴(kuò)散到硅片邊緣，在那里與硅進(jìn)行反應(yīng)，形成揮發(fā)性生成物四氟化硅而被去除。

化學(xué)公式： CF 4 SIO 2 =SIF 4 CO 2

工藝流程

預(yù)抽，主抽，送氣，輝光，抽空，清洗，預(yù)抽，主抽   ，充氣。

影響因素

1. 射頻功率

射頻功率過高：等離子體中離子的能量較高會對硅片邊緣造成較大的轟擊損傷，導(dǎo)致邊緣區(qū)域的電性能差從而使電池的性能下降。在結(jié)區(qū)（耗盡層）造成的損傷會使得結(jié)區(qū)復(fù)合增加。

射頻功率太低：會使等離子體不穩(wěn)定和分布不均勻，從而使某些區(qū)域刻蝕過度而某些區(qū)域刻蝕不足，導(dǎo)致并聯(lián)電阻下降。

2. 時(shí)間

刻蝕時(shí)間過長：刻蝕時(shí)間越長對電池片的正反面造成損傷影響越大，時(shí)間長到一定程度損傷不可避免會延伸到正面結(jié)區(qū)，從而導(dǎo)致?lián)p傷區(qū)域高復(fù)合。

刻蝕時(shí)間過短：刻蝕不充分，沒有把邊緣鱗去干凈， PN 結(jié)依然有可能短路造成并聯(lián)電阻降低。

4.   壓力

壓力越大，氣體含量越少，參與反應(yīng)的氣體也越多，刻蝕也越充份。

晶硅太陽能電池板的制作過程

晶硅太陽能光伏板的制做全過程 

3、去磷硅玻璃該加工工藝用以太陽能電池片生產(chǎn)加工全過程中，根據(jù)有機(jī)化學(xué)浸蝕法也即把硅片放到鹽酸水溶液中侵泡，使其造成放熱反應(yīng)轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸，以除去外擴(kuò)散制結(jié)后在硅片表層產(chǎn)生的一層層磷硅玻璃。在外擴(kuò)散全過程中，POCL3與O2反映轉(zhuǎn)化成P2O5淀積在硅片表層。P2O5與Si反映又轉(zhuǎn)化成SiO2和磷分子，那樣就在硅片表層產(chǎn)生一層層帶有磷原素的SiO2，稱作磷硅玻璃。去磷硅玻璃的機(jī)器設(shè)備通常由本身、清理槽、伺服電機(jī)驅(qū)動器系統(tǒng)軟件、機(jī)械手臂、電氣系統(tǒng)和全自動配酸系統(tǒng)軟件等一部分構(gòu)成，關(guān)鍵能源有鹽酸、N2、空氣壓縮、純凈水，熱排風(fēng)系統(tǒng)和污水。鹽酸可以融解sio2由于鹽酸與sio2反映轉(zhuǎn)化成容易揮發(fā)的四氟化硅汽體。若鹽酸過多，反映轉(zhuǎn)化成的四氟化硅會深化與鹽酸反映轉(zhuǎn)化成可溶的絡(luò)和物六氟硅酸。 

4、低溫等離子刻蝕因?yàn)樵谕鈹U(kuò)散全過程中，即便選用背對背外擴(kuò)散，硅片的全部表層包含邊沿都將難以避免地外擴(kuò)散上磷。PN結(jié)的反面所搜集到的光生電子器件會順著邊沿外擴(kuò)散有磷的地區(qū)流進(jìn)PN結(jié)的反面，而導(dǎo)致短路故障。因而，務(wù)必對太陽電池附近的夾雜硅開展刻蝕，以除去充電電池邊沿的PN結(jié)。一般 選用低溫等離子刻蝕技術(shù)性進(jìn)行這一加工工藝。低溫等離子刻蝕是在底壓情況下，反映汽體CF4的孕媽分子結(jié)構(gòu)在頻射輸出功率的激起下，造成電離并產(chǎn)生等離子技術(shù)。等離子技術(shù)是由感應(yīng)起電的電子器件和正離子構(gòu)成，反映波導(dǎo)管中的汽體在電子器件的碰撞下，除開轉(zhuǎn)化成正離子外，還能消化吸收動能并產(chǎn)生很多的特異性基團(tuán)。特異性反映基團(tuán)因?yàn)橥鈹U(kuò)散或是在靜電場功效下抵達(dá)SiO2表層，在那邊與被刻蝕原材料表層產(chǎn)生放熱反應(yīng)，并產(chǎn)生揮發(fā)物的反映反應(yīng)物擺脫被刻蝕化學(xué)物質(zhì)表層，被超濾裝置抽出來波導(dǎo)管。