KOAN 晶體采用不同大小激勵功率測試以提高穩(wěn)定性

弛豫效應(yīng)：加在晶片上的機(jī)械應(yīng)力隨時間的推移而松弛時，會引起頻率的漂移，因此要選擇合適的激勵功率，使晶片的自身應(yīng)力和電極施于晶片的應(yīng)力發(fā)生變化，應(yīng)力的變化又導(dǎo)致因應(yīng)力弛豫效應(yīng)引起的老化速率發(fā)生變化。第三個部分就是順序號了，一般是用阿拉伯?dāng)?shù)字來表示，可以很好的用來區(qū)分主要性能是怎么樣或者外形尺寸大小。另外，激勵功率變化，將引起晶片振幅的變化，從而改變晶片上質(zhì)量遷移引起的老化速率，可能抵消兩種老化速率。

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KOAN 晶體諧振器使用過程常見問題介紹

晶體振蕩回路頻率不準(zhǔn)，溫度變化精度不準(zhǔn)，批量使用出現(xiàn)不起振的，工作一段時間出現(xiàn)不工作的現(xiàn)象，頻率不準(zhǔn)確超出出廠標(biāo)準(zhǔn)，造成通訊錯誤，IC 通訊異常，以上情況都需要考慮晶體質(zhì)量可能出現(xiàn)問題，需要交給供應(yīng)做質(zhì)量分析報告，如果確認(rèn)不是晶體質(zhì)量出現(xiàn)問題，應(yīng)考慮晶體振蕩回路沒有匹配好，或者選型錯誤，或者功率問題。振蕩電路的工作頻率如果不在晶體諧振器標(biāo)稱頻率范圍內(nèi)，稱為“不規(guī)則振蕩”，調(diào)整阻尼電阻和外部負(fù)載電容，可以減少不規(guī)則振蕩發(fā)生的幾率。

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晶體諧振器的主要技術(shù)指標(biāo)介紹

標(biāo)稱頻率：振蕩器輸出的中心頻率或頻率的

頻率準(zhǔn)確度：振蕩器輸出頻率在室溫(25℃±2℃)下相對于標(biāo)稱頻率的偏差。

調(diào)整頻差：在特定溫度范圍內(nèi)振蕩器輸出頻率相對于25℃時測量值的較大允許頻率偏差。

負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián),其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時（產(chǎn)生諧振）的兩個頻率中的一個頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時，負(fù)載諧振頻率是兩個頻率中較低的一個，在并聯(lián)負(fù)載電容時，則是兩個頻率中較高的一個。