之前是犯了這個很低級的錯誤，14.5V輸出用16V耐壓電容，量產(chǎn)有1%的電容失效不良。 20.電路設計，大電容或其它電容做成臥式時，底部如有跳線需放在負極電位，這樣跳線可以不用穿套管。 這個可以節(jié)省成本。 21.整流橋堆、二極管或肖特基，晶元大小元件承認書或在BOM表要有描述，如67mil。理由：管控供應商送貨一至性，避免供應商偷工減料，影響產(chǎn)品效率 另人煩腦的就是供應商做手腳，導致一整批試產(chǎn)的產(chǎn)品過不了六級能效，原因就是肖特基內(nèi)部晶元用小導致。 22.電路設計，Snubber 電容，因為有異音問題，優(yōu)先使用Mylar電容 。


有的時候只差2、3dB的時候換一個不同品牌會有驚喜。 EMI整改技巧之二 40.VCC上的整流二極管，這個對輻射影響也是很大的。 一個慘痛案例，一款過了EMI的產(chǎn)品，余量都有4dB以上，量產(chǎn)很多次了，其中有一次量產(chǎn)抽檢EMI發(fā)現(xiàn)輻射超1dB左右，不良率有50%，經(jīng)過層層排查、一個個元件對換。終發(fā)現(xiàn)是VCC上的整流二極管引發(fā)的問題，更換之前的管子（留低樣品），余量有4dB。對不良管子分析，發(fā)現(xiàn)管子內(nèi)部供應商做了鏡像處理。


理由：開關管工作時容易干擾到背部的芯片，造成系統(tǒng)不穩(wěn)定，其它高頻器件同理 60.輸出的DC線在PCB設計時，要設計成長短一至，焊盤孔間隔要小。 理由：SR的尾部留長是一樣長的，當兩個焊盤孔間隔太遠時，會造成不方便生產(chǎn)焊接 61.MOS管、變壓器遠離AC端，改善EMI傳導。 理由：高頻信號會通過AC端耦合出去，從而噪聲源被EMI設備檢測到引起EMI問題 62.驅動電阻應靠近MOS管。 理由：增加抗干擾能力，提升系統(tǒng)穩(wěn)定性