什么是大功率半導(dǎo)體元件？其用途為何？

凡是半導(dǎo)體元件如金屬氧化場效晶體管(MOSFET)、IGBT(INSULATED GATE B.TRANSISTOR)及TRIAC（可控硅）、SCR（晶閘管）、 GTO等各型閘流體與二極管(DI ODE)等，其工作電流與電壓乘積若大于1KW以上，均可屬于大功率的范圍。如下圖片所示。此類元件多用于車船，工廠的動(dòng)力，光電及其他能源的轉(zhuǎn)換上。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。

如何檢測元件有老化的現(xiàn)象？ 半導(dǎo)體元件有許多參數(shù)都很重要，有些參數(shù)如：放大倍率，觸發(fā)參數(shù)，閂扣，保持參數(shù)，崩潰電壓等，是提供給工程師在設(shè)計(jì)電路時(shí)的依據(jù)，在檢測元件是否有老化的現(xiàn)象時(shí)，僅須測量導(dǎo)通參數(shù)及漏電流二項(xiàng)即可。將量測的數(shù)據(jù)與其出廠規(guī)格相比較，就可判定元件的好壞或退化的百分比。 何謂半導(dǎo)體元件的參數(shù)？電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）。對(duì)元件使用上有何重要性？ 中大功率的元件僅在功能上的完好是不夠的，因其必須承受規(guī)格上的電壓與電流，在某條件下，承受度的數(shù)據(jù)便稱為此元件的參數(shù)。若元件的工作條件超過其參數(shù)數(shù)據(jù)，元件可能會(huì)立刻燒毀或造成性的損壞。

如何執(zhí)行導(dǎo)通參數(shù)與漏電流的量測？

?測試條件中待輸入的數(shù)字，必須依照元件生產(chǎn)廠所提供的規(guī)格來輸入，而測量結(jié)果，亦必須在其所規(guī)定的限額內(nèi)，否則，便為不良品。

大功率I g b t模塊測試系統(tǒng)簡介

我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測試系統(tǒng)具備下列測試能力：

☆可單機(jī)獨(dú)立操作，測試范圍達(dá)2000V及50A。

☆外接大電流擴(kuò)展裝置，檢測范圍可擴(kuò)展1600A。

關(guān)斷時(shí)間測試參數(shù)： 1、關(guān)斷時(shí)間toff：5～2000ns±3%±3ns 2、關(guān)斷延遲時(shí)間td(off)：5～2000ns±3%±3ns 3、下降時(shí)間tf：5～2000ns±3%±3ns 4、關(guān)斷能量：0.2～1mJ±5%±0.01mJ 1～50mJ±5%±0.1mJ 50～100mJ±5%±1mJ 100～500mJ±5%±2mJ 5、關(guān)斷耗散功率Pon：10W～250kW 關(guān)斷時(shí)間測試條件： 1、集電極電壓Vce：50～100V±3%±1V 100～500V±3%±5V 500V～1000V±3%±10V 2、集電極電流Ic：50～100A±3%±1A; 100～500A±3%±2A; 500～1000A±3%±5A;