化學(xué)氣相沉積的特點

化學(xué)氣相沉積法之所以得到發(fā)展，是和它本身的特點分不開的，其特點如下。

I) 沉積物種類多: 可以沉積金屬薄膜、非金屬薄膜，也可以按要求制備多組分合金的薄膜，以及陶瓷或化合物層。

2) CVD反應(yīng)在常壓或低真空進行，鍍膜的繞射性好，對于形狀復(fù)雜的表面或工件的深孔、細(xì)孔都能均勻鍍覆。

3) 能得到純度高、致密性好、殘余應(yīng)力小、結(jié)晶良好的薄膜鍍層。由于反應(yīng)氣體、反應(yīng)產(chǎn)物和基體的相互擴散，可以得到附著力好的膜層，這對表面鈍化、抗蝕及耐磨等表面增強膜是很重要的。

4) 由于薄膜生長的溫度比膜材料的熔點低得多，由此可以得到純度高、結(jié)晶完全的膜層，這是有些半導(dǎo)體膜層所必須的。

5) 利用調(diào)節(jié)沉積的參數(shù)，可以有效地控制覆層的化學(xué)成分、形貌、晶體結(jié)構(gòu)和晶粒度等。

6) 設(shè)備簡單、操作維修方便。

7) 反應(yīng)溫度太高，一般要850~ 1100℃下進行，許多基體材料都耐受不住CVD的高溫。采用等離子或激光輔助技術(shù)可以降低沉積溫度。

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化學(xué)氣相沉積產(chǎn)品概述

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1、適用范圍：適合于各單位實驗室、高等院校實驗室、教學(xué)等的項目科研、產(chǎn)品中試之用。

2、產(chǎn)品優(yōu)點及特點：應(yīng)用于半導(dǎo)體薄膜、硬質(zhì)涂層等薄膜制備，兼等離子體清洗、等離子體刻蝕。

3、主要用途：主要用來制作SiO2、Si3N4、非晶Si：H、多晶Si、SiC、W、Ti-Si、GaAs、GaSb等介電、半導(dǎo)體及金屬膜。

ICP刻蝕機的應(yīng)用

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等離子體處理可應(yīng)用于所有的基材，甚至復(fù)雜的幾何構(gòu)形都可以進行等離子體活化、等離子體清洗，等離子體鍍膜也毫無問題。等離子體處理時的熱負(fù)荷及機械負(fù)荷都很低，因此，低壓等離子體也能處理敏感性材料。等離子刻蝕機的典型應(yīng)用包括：

等離子體清除浮渣

光阻材料剝離

表面處理

各向異性和各向同性失效分析應(yīng)用等離子刻蝕反應(yīng)材料改性

包裝清洗

鈍化層蝕刻

聚亞酰胺蝕刻

增強粘接力

生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用

聚合反應(yīng)

混合物清洗

預(yù)結(jié)合清洗