精密制樣設(shè)備；前數(shù)字指示器顯示實時的材料去除率（樣品的行程），1微米分辨率；主軸設(shè)計保證樣品垂直于研磨盤，使之同時旋轉(zhuǎn)。雙軸測微計控制樣品角坐標(biāo)設(shè)置（斜度和擺度）， 10°/-2.5°幅度， 0.01° 增量。后置的數(shù)字指示器顯示垂直位置（靜態(tài)），具有歸零功能，1微米分辨率；6倍速樣品自動擺動。研磨盤速度范圍：5-350 RPM（5轉(zhuǎn)速增量）觸摸面板控制所有功能。? HP（190瓦）耐用的減速箱電機提供高轉(zhuǎn)矩；順時針/逆時針研磨盤旋轉(zhuǎn)。

等離子開封設(shè)備PlasmaEtch是一個革命性的氣體為基礎(chǔ)的半導(dǎo)體蝕刻系統(tǒng)。采用以前從未見過的應(yīng)用微波氣體化學(xué)基團(tuán)為各向同性腐蝕。PlasmaEtch腐蝕大部分樣本大小，封裝類型和引線鍵合的類型。無論它是一個傳統(tǒng)的金絲樣品或者該樣品設(shè)有銅或銀導(dǎo)線，PlasmaEtch都提供了的蝕刻。等離子開封設(shè)備是為快速蝕刻模具化合物，聚酰芯片特別研發(fā)的，無需攻擊敏感的接線便可將芯片開封。

功能：利用不同材料的等離子體具有較好的選擇性，能夠很好的去除器件內(nèi)部的塑封料而不損傷焊線或其他金屬結(jié)構(gòu)。

應(yīng)用：可用于表面未作保護(hù)的芯片的開封，或?qū)δ切λ崾置舾械漠a(chǎn)品的環(huán)氧材料的去除?？捎行?yīng)用于激光開封后的芯片的表面處理。

優(yōu)點：只對環(huán)氧材料進(jìn)行去除，不會對金屬焊線和金屬布線造成損傷，具有較強的選擇性，可以一次進(jìn)行多顆樣品的處理，從而有效地提率。

開封的含義：Decap即開封，也稱開蓋，開帽，指給完整封裝的IC做局部腐蝕，使得IC可以暴露出來，同時保持芯片功能的完整無損, 保持 die, bond pads, bond wires乃至lead-不受損傷, 為下一步芯片失效分析實驗做準(zhǔn)備，方便觀察或做其他測試（如FIB,EMMI），Decap后功能正常。

開封范圍：普通封裝 COB、BGA、QFP、 QFN、SOT、TO、 DIP、BGA、COB 陶瓷、金屬等其它特殊封裝。

開封方法：一般的有化學(xué)(Chemical)開封、機械(Mechanical)開封、激光(Laser)開封、Plasma Decap 開封實驗室：Decap實驗室可以處理幾乎所有的IC封裝形式（COB.QFP.DIP SOT 等）、打線類型（Au Cu Ag）。