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ASEMI解析肖特基勢(shì)壘二極管工作原理：

隨著電子不斷從B擴(kuò)散到A，B表面電子濃度逐漸降低，表面電中性被破壞，于是就形成勢(shì)壘，其電場方向?yàn)锽→A。但在該電場作用之下，A中的電子也會(huì)產(chǎn)生從A→B的漂移運(yùn)動(dòng)，從而消弱了由于擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)而形成的電場。當(dāng)建立起一定寬度的空間電荷區(qū)后，電場引起的電子漂移運(yùn)動(dòng)和濃度不同引起的電子擴(kuò)散運(yùn)動(dòng)達(dá)到相對(duì)的平衡，便形成了肖特基勢(shì)壘。

采用這種結(jié)構(gòu)的SBD，擊穿電壓由PN結(jié)承受。通過調(diào)控N-區(qū)電阻率、外延層厚度和P 區(qū)的擴(kuò)散深度，使反偏時(shí)的擊穿電壓突破了100V這個(gè)長期不可逾越的障礙，達(dá)到150V和200V。在正向偏置時(shí)，高壓SBD的PN結(jié)的導(dǎo)通門限電壓為0.6V，而肖特基勢(shì)壘的結(jié)電壓僅約0.3V，故正向電流幾乎全部由肖特基勢(shì)壘供給。

肖特基二極管

      優(yōu)點(diǎn)：

              1.   正向壓降小 ：              通常0.4V左右

              2.   反向恢復(fù)時(shí)間極短:        可達(dá)5納秒

              3.  大的正向電流:                1A---300A之間

     缺點(diǎn)：

             1.反向工作電壓VR低:          通常200V以下

             2.漏電流稍大些       :            僅有10mA

    例1：B82-400

           1.反向工作電壓VRRM:40V

           2.正向壓降VF:0.55V(IF=2.0A)

           3.漏電流IR=5mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=5A

          5.浪涌電流IFSM=100A(T=10ms)

例2：1N5817,1N5818,1N5819

          1.反向工作電壓VRRM(1N5817,1N5818,1N5819 ):20V,30V,40V

           2.正向壓降VF:0.6V(IF=1.0A)

           3.漏電流IR=0.1mA(VRRM=40V)

          4.整流電流IF=1A

          5.浪涌電流IFSM=25A(T=10ms)