湖北豐熱科技有限公司（原武漢離子熱處理研究所），專業(yè)制造輝光離子滲氮爐的高新技術企業(yè)；是集研發(fā)、生產、銷售安裝輝光離子滲氮爐，并為用戶提供成套的離子滲氮工藝技術服務。

一種化學熱處理爐，尤其涉及一種新型多功能輝光離子滲氮爐。該輝光離子滲氮爐包括內隔熱屏，在內隔熱屏內壁上裝有發(fā)熱體，發(fā)熱體與電極間采用螺栓聯接，發(fā)熱體與內壁由陶瓷絕緣體隔離絕緣，絕緣體由螺栓固定在隔熱屏內壁上。

磁控靶射頻放電的陰極是電容耦合電極，陽極接地;射頻電壓可以穿過任何種類的阻抗，所以電極就不再要求是導體；電容耦合穿過絕緣材料或空間，電極就不再限于導電材料，可以濺射任何材料，因此射頻輝光放電廣泛用于絕緣或介質材料的濺射沉積鍍膜。

輝光放電有亞正常輝光和反常輝光兩個過渡階段，放電的整個通道由不同亮度的區(qū)間組成，即由陰極表面開始，依次為：阿斯通暗區(qū)；陰極光層；陰極暗區(qū)(克魯克斯暗區(qū))；負輝光區(qū)；法拉第暗區(qū)；正柱區(qū);陽極暗區(qū);陽極光層。其中以負輝光區(qū)、法拉第暗區(qū)和正柱區(qū)為主體。這些光區(qū)是空間電離過程及電荷分布所造成的結果，與氣體類別、氣體壓力、電極材料等因素有關，這些都可以從放電理論上作出解釋。射頻磁控濺射氣體放電時，由于射頻靶電源輸出交變高頻正弦電壓波形，致使電子碰撞工作氣體的幾率大為增多，工作氣體離化率高，等離子阻抗低，射頻磁控濺射膜層沉積速率為二極射頻濺射的數倍。

根據電流脈沖個數及Lisajous圖形（X軸為外加電壓，Y軸為放電電荷量）的不同，他們提出了區(qū)分輝光放電和絲狀放電的方法，即若每個外加電壓半周期內僅1個電流脈沖，并且Lisajous圖形為兩條平行斜線，則為輝光放電。通過調節(jié)氮、氧及其他（如碳、氧、硫等）氣氛的比例，可自由地凋節(jié)化合物層的棚組成，從而獲得預期的機械性能。若半周期內多個電流脈沖，并且Lisajous圖形為斜平行四邊形，則為絲狀放電。