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發(fā)布時(shí)間:2021-07-03 12:27  
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什么是化學(xué)氣相沉積?
化學(xué)氣相沉積是一種化工技術(shù),該技術(shù)主要是利用含有薄膜元素的一種或幾種氣相化合物或單質(zhì)、在襯底表面上進(jìn)行化學(xué)反應(yīng)生成薄膜的方法?;瘜W(xué)氣相淀積是近幾十年發(fā)展起來(lái)的制備無(wú)機(jī)材料的新技術(shù)?;瘜W(xué)氣相沉積法在金屬材料方面的使用想要了解更多化學(xué)氣相沉積的相關(guān)內(nèi)容,請(qǐng)及時(shí)關(guān)注沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司網(wǎng)站?;瘜W(xué)氣相淀積法已經(jīng)廣泛用于提純物質(zhì)、研制新晶體、淀積各種單晶、多晶或玻璃態(tài)無(wú)機(jī)薄膜材料。這些材料可以是氧化物、硫化物、氮化物、碳化物,也可以是III-V、II-IV、IV-VI族中的二元或多元的元素間化合物,而且它們的物理功能可以通過(guò)氣相摻雜的淀積過(guò)程準(zhǔn)確控制?;瘜W(xué)氣相淀積已成為無(wú)機(jī)合成化學(xué)的一個(gè)新領(lǐng)域。
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化學(xué)氣相沉積技術(shù)在材料制備中的使用
化學(xué)氣相沉積技術(shù)生產(chǎn)多晶/非晶材料膜:
化學(xué)氣相沉積法在半導(dǎo)體工業(yè)中有著比較廣泛的應(yīng)用。比如作為緣介質(zhì)隔離層的多晶硅沉積層。迄今為止,許多重要的反應(yīng)體系都是通過(guò)實(shí)驗(yàn)使工藝參數(shù)較優(yōu)化,從而獲得具有理想特性的薄膜。在當(dāng)代,微型電子學(xué)元器件中越來(lái)越多的使用新型非晶態(tài)材料,這種材料包括磷硅玻璃、硼硅玻璃、SiO2以及 Si3N4等等。此外,也有一些在未來(lái)有可能發(fā)展成開關(guān)以及存儲(chǔ)記憶材料,例如氧化銅-氧化銅等都可以使用化學(xué)氣相沉積法進(jìn)行生產(chǎn)。
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化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)有哪些?
? 高溫石英管反應(yīng)器設(shè)計(jì)
? 溫度范圍:室溫到1100度
? 多路氣體準(zhǔn)確控制
? 標(biāo)準(zhǔn)氣壓計(jì)
? 易于操作
? 可配機(jī)械泵實(shí)現(xiàn)低壓TCVD
? 可用于制備金屬氧化物、氮化物、碳化物、金屬薄膜
? 液體前驅(qū)體噴頭
沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司本著多年化學(xué)氣相沉積行業(yè)經(jīng)驗(yàn),專注化學(xué)氣相沉積研發(fā)定制與生產(chǎn),先進(jìn)的化學(xué)氣相沉積生產(chǎn)設(shè)備和技術(shù),建立了嚴(yán)格的產(chǎn)品生產(chǎn)體系,想要更多的了解,歡迎咨詢圖片上的熱線電話?。?!
等離子體化學(xué)氣相沉積
沈陽(yáng)鵬程真空技術(shù)有限責(zé)任公司——專業(yè)脈沖激光沉積供應(yīng)商,我們?yōu)槟鷰?lái)以下信息。
等離子體化學(xué)氣相沉積簡(jiǎn)稱PCVD,是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進(jìn)在基體表面或近表面空間進(jìn)行化學(xué)反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。ICP頭尺寸:340mmmm,噴淋頭與樣品之間電極間距50mm。等離子體化學(xué)氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場(chǎng)作用下,源氣體電離形成等離子體,利用低溫等離子體作為能量源,通入適量的反應(yīng)氣體,利用等離子體放電,使反應(yīng)氣體激發(fā)并實(shí)現(xiàn)化學(xué)氣相沉積的技術(shù)。