IGBT半導(dǎo)體器件測(cè)試系統(tǒng)的主要應(yīng)用領(lǐng)域概括如下：

?半導(dǎo)體元器件檢測(cè)中心——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可擴(kuò)大檢測(cè)中心的檢測(cè)范圍、提高檢測(cè)效率，提升檢測(cè)水平，增加經(jīng)濟(jì)效益；

?半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)廠 —— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)半導(dǎo)體元器件生產(chǎn)線的成品進(jìn)行全參數(shù)的測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的合格率；

?電子電力產(chǎn)品生產(chǎn)、檢修廠——應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的半導(dǎo)體元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

?航天、領(lǐng)域 ——— 應(yīng)用本公司測(cè)試系統(tǒng)可對(duì)所應(yīng)用到的元器件，尤其對(duì)現(xiàn)代新型IGBT大功率器件的全參數(shù)進(jìn)行智能化測(cè)試、篩選、分析，以確保出廠產(chǎn)品的穩(wěn)定性、可靠性；

技術(shù)要求

3.1整體技術(shù)指標(biāo)

3.1.1 功能與測(cè)試對(duì)象

*1）功能

GBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。

*2）測(cè)試對(duì)象

被測(cè)器件IGBT模塊動(dòng)態(tài)參數(shù)。測(cè)試溫度范圍 Tj=25°及125°。

3.1.2 IGBT模塊動(dòng)態(tài)測(cè)試參數(shù)及指標(biāo)

測(cè)試單元對(duì)IGBT模塊和FRD的動(dòng)態(tài)參數(shù)及其他參數(shù)的定義滿足國(guó)際標(biāo)準(zhǔn)IEC60747-9以及IEC60747-2。

以下參數(shù)的測(cè)試可以在不同的電壓等級(jí)、電流等級(jí)、溫度、機(jī)械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動(dòng)回路參數(shù)下進(jìn)行。

安全工作區(qū)測(cè)試負(fù)載電感

?電感量 1mH 、10mH、50mH、100mH

?電流 通過選擇不同檔位電感，滿足0~200A電流輸出需求（10ms）

?瞬態(tài)電壓 大于10kV

?負(fù)載電感 配備自動(dòng)切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計(jì)算機(jī)控制自動(dòng)接通；自動(dòng)切換開關(guān)參數(shù)性能需求與電感要求相匹配。

5）補(bǔ)充充電回路限流電感

限制充電回路中的di/dt。

?電感量 100μH

?電流能力 6000A （5ms）

?瞬時(shí)耐壓 10kV

?工作溫度室溫～40℃

?工作濕度 <70%

3.1開通時(shí)間Ton測(cè)試原理框圖 圖3-1開通時(shí)間測(cè)試原理框圖 其中：Vcc 試驗(yàn)電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測(cè)器件（實(shí)際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負(fù)載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動(dòng)切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測(cè)器件 開通時(shí)間定義（見下圖）：柵極觸發(fā)信號(hào)第二個(gè)脈沖上升的10%到集電極電流IC上升到10%的時(shí)間間隔為開通延遲時(shí)間td （on） ，集電極電流IC上升的10%到90%的時(shí)間間隔即為電流上升時(shí)間tr ，則ton= td （on） tr