氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩(wěn)定性好，價格較低因而得以廣泛應用。氧化鋯(YSZ)單晶基片是zui早應用于高溫超導薄膜的材料之一。一般使用的氧化鋯需要摻入釔作為穩(wěn)定劑,常見濃度有13 mol%,YSZ具有機械和化學穩(wěn)定性好、成本低的特點。

氧化鋯由于ZrO2單晶需摻入釔（Y）以穩(wěn)定其結構， 一般實際使用的是YSZ單晶――加入釔穩(wěn)定劑（含量約19%）的氧化鋯單晶。它機械、化學穩(wěn)定性好，價格較低因而得以廣泛應用。常溫下保持立方相的氧化鋯晶體，具有硬度高(莫氏硬度8~8.5)，折射率高(于6830?處，n≈2.149)，色散性強(~0.056)和化學穩(wěn)定性好等特性。

在高溫下 ，氧化鋯屬于立方螢石型結構，因為Zr4 直徑大于O2-離子直徑，所以可以認為，由Zr4 構成面心立方點陣，占據1/2的八面體空隙，O2-離子占據面心立方點陣所有四個四面體空隙。常溫下， 氧化鋯只能是單斜相，當用鋯鹽煅燒，達到650℃時，出現穩(wěn)定的四方相，繼續(xù)升高時四方相逐步轉變?yōu)閱涡毕?，再繼續(xù)升溫至830℃時， 氧化鋯又開始向四方相轉變，至1170℃時，完全轉變?yōu)樗姆较?，溫度升?370℃時轉變?yōu)榱⒎较?