超聲波涂層測厚儀校準規(guī)范

超聲波涂層測厚儀校準規(guī)范測量留意下列事項：⒈在進行檢驗的狀況下需要留意標準片團隊的金屬材料帶磁和表面表面表面粗糙度理當與試件相近。⒉測量時側頭與試件表面保持垂直。如果選擇種類或使用方法不當將有可能造成誤差或耦合標志閃爍，無法測值。⒊測量時要留意基體金屬材料的臨界點薄厚，倘若超出這一薄厚測量都不受基體金屬材料薄厚的傷害。⒋測量時要留意試件的折光率對測量的傷害。因此在彎曲的試件表面上測量時不可靠的。⒌測量前要留意附近其他的電器設備是不是會導致磁場，假如會將會危害帶磁測厚法。⒍測量時要留意無須之內轉角處和靠近試件邊緣處測量，因為一般的涂層測厚儀試件表面模樣的忽然變化很較為比較敏感。⒎在測量時要保持壓力的平穩(wěn)，要不然會傷害測量的讀數。

超聲波無損傷檢測原理1.1超聲波概述超聲波是機械波的一種，在媒介中傳播遵循幾何光學原則，會產生波的反射、折射、散射、疊加等現象。超聲波探傷物理原理是采用機械振動與波動進行結構無損探傷。（3）檢測面與底面不平行，聲波遇到底面產生散射，探頭無法接受到底波信號。 　　超聲波探傷方法按其原理可分為三類：脈沖反射法、穿透法和共振法。 　　其中脈沖反射法為常用。脈沖法用超聲波探頭發(fā)射脈沖到構件需要被檢測的部位，根據反射波的情況分析結構內部是否存在缺陷。脈沖反射法中的方法為缺陷回波法。其示意圖如下所示。當構件內沒有損傷時，超聲波只在構件上表面和下表面出現反射脈沖T和B，而在構件內部不產生反射脈沖，如中（1）所示。反之，如果構件內部有損傷，則超聲波在構件內部傳播時也會反射脈沖F

超聲波涂層測厚儀校準規(guī)范對于薄材料，在它的厚度接近于探頭測量下限時，可用試塊來確定準確的低限。不要測量低于下限厚度的材料。多種多樣好用測量模式：規(guī)范測量模式，值測量模式，值測量模式，差值測量模式，均值測量模式，高溫測量模式（配高溫探頭）。如果一個厚度范圍是可以估計的，那么試塊的厚度應選上限值。當被測材料較厚時，特別是內部結構較為復雜的合金等，應在一組試塊中選擇一個接近被測材料的，以便于掌握校準。大部分鍛件和鑄件的內部結構具有方向性，在不同的方向上，聲速將會有少量變化，為了解決這個問題，試塊應具有與被測材料相同方向的內部結構，聲波在試塊中的傳播方向也要與在被測材料中的方向相同。在一定情況下，查已知材料的聲速表，可代替參考試塊，但這只是近似地代替一些參考試塊，在一些情況下，聲速表中的數值與實際測量有別，這是因為材料的物理及化學情況有異。

第二代儀器，采用的是“界面——回波”技術.

即，事先剔除脈沖信號從晶振片開始到被測物表面的時間；

這種技術的出現，其目的本來是為了剔除“晶振片到探頭保護膜的距離”給測厚帶來的誤差，事實上，這個“距離”，與要測的厚度通常不在一個數量級上，因此，其適用性只在一個很窄的范圍內才有意義。超聲波涂層測厚儀校準規(guī)范 由于超音波涂層測厚儀體型小，品質輕，速度更快，，方便使用，因而普遍用以高壓容器定期檢驗時的厚度測量。這種技術自本世紀初，在國外的儀器中開始有大量的應用，但作為一種“權宜之計”的過渡技術，很快被跨越，不到五年的時間，就讓出了它的“優(yōu)越地位”。

第三代儀器，采用的是“回波——回波”技術。

即，以“次底面回波”和“第二次底面回波”的時間差為基礎來計算厚度；這種技術，與“界面——回波”技術有相同的地方，即，都不用考慮“晶振片到探頭保護膜的距離”帶來的測量誤差，但同樣，只在小范圍內才有適用意義。

這種技術得以應用，其更大意義在于：該技術改變了儀器的電路結構，使得儀器可以給換能器（探頭）更大的能量、并能更好地分檢回波信號，因此，應對“信號衰減”，采用這種技術的儀器比前兩代儀器有了質的提升；也因此，“回波—回波”，成了迄今為止先進超聲波測厚儀共同的技術基礎。用左右按鍵調整顯示值，使之與校準試塊的薄厚一致，隨后在按CAL/ON鍵，出現“HI”（厚）校準的提醒，將探頭與校準標準塊耦合，待耦合指示燈亮，即讀值平穩(wěn)。

第四代儀器，采用的是“A掃描信號測厚”技術。

前面三代都是“讀數型測厚儀”，不管讀哪幾次波，*終都是靠事先設定的程序由儀器來判定和計算的。用經緯儀測某面墻體的傾斜度，可將經緯儀放置在墻面與地面交線上某處，經緯儀中線對準墻頂邊線，豎向移動經緯儀觀測筒劃至墻底，在墻底放一水平刻度尺就可以而且快捷的得到墻體側移量。而“A掃測厚儀”則是將所有的信號都顯示在屏幕上，由操作者自行判斷、并且可以計算任意兩次波的時間差，也就是說，將測量的主動權交給了操作者，這對于分析型測厚、以及雜波信號較多的測厚非常有幫助；

第五代儀器，采用的是單晶探頭。

前面四代測厚儀，使用的都是雙晶探頭（只有在超薄件測厚中，才有專門的機型使用高頻單晶探頭），而雙晶探頭，由于晶振片排列的結構性因素，超聲波的傳遞呈現出一個“V”型路徑，這意味著，晶振片發(fā)射和接收信號的有效面積勢必受到“V”路徑的影響，也就是說，每個雙晶探頭的測厚范圍受晶振片直徑、晶振片斜角的影響較大。⒊測量時要留意基體金屬材料的臨界值厚度，假如超過這一厚度測量也不受基體金屬材料厚度的危害。