華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術規(guī)格書的要求外，在其設計、制造、試驗、檢定等制程中還應滿足以下標準的版本。當大功率元件在作導通參數(shù)的測試時，電流必須大到其所能承受的正常工作值，同時，在作關閉參數(shù)的漏電流測試時，電壓也必須夠高，以元件在真正工作狀態(tài)下的電流與電壓，如此其老化的程度才可顯現(xiàn)。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設備安全技術規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設備結構總技術條件 GB/T 2423 電工電子產品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當功率元件老化時，元件的內阻在導通時必定會加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。01～50mA集電極電壓VCES： 50～500V±2%±1V。長期使用后若溫升過高時，會使元件在關閉時的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進而使半導體的接口產生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當元件損毀時，會連帶將其驅動電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。

測試大功率元件應用范例說明？

2011年，我們在深圳地鐵運營公司前海車輛段大修車間，進行了實際的展示與操作，廠方提供了許多元件來測試，其中一部份由于損毀嚴重，在一開始的功能與元件判別過程，即被判出局，而未進入實質的參數(shù)量測，也有全新的IGBT，量測結果完全合乎出廠規(guī)格.對其測試數(shù)據(jù)極為滿意，解決了特大功率器件因無法測試給機車在使用帶來的工作不穩(wěn)定、器件易燒壞、易等問題。買方有權要求賣方委托第三方進行有關參數(shù)的測試，以確保出廠測試的參數(shù)真實有效。用戶能對舊品元件作篩選，留下可用元件，確實掌握設備運轉的可靠度。