規(guī)的薄膜電容根據(jù)它的材料不同，一般可分為金屬化聚酯薄膜和金屬化聚薄膜。而聚酯薄膜電容器又稱為CL電容或者是MER電容；聚薄膜電容器稱為cbb電容器或者是MPR電容。

今天春發(fā)電子要跟大家一起來討論一下，蘇州cbb電容器和CL電容之間有什么區(qū)別？

1、cbb電容器，聚電容器。具有優(yōu)良的高頻絕緣性能，電容量與損耗在很大頻率范圍內(nèi)與頻率無關(guān)，隨溫度變化很小，而介電強(qiáng)度隨溫度升高而有所增加，這是其他介質(zhì)材料難以具備的。耐溫高，吸收系數(shù)小。

溥膜電容廠家講述電容為什么會(huì)出現(xiàn)扭曲失效？

對(duì)于電容為什么會(huì)出現(xiàn)扭曲失效情況？溥膜電容廠家經(jīng)過實(shí)驗(yàn)得出的結(jié)論是：此種不良的可能性很多，按大類及表現(xiàn)可以分為兩種：

SMT階段導(dǎo)致的失效

當(dāng)進(jìn)行零件的取放尤其是SMT階段零件取放時(shí)，取放的定中爪因?yàn)槟p、對(duì)位不準(zhǔn)確，傾斜等造成的。由定中爪集中起來的壓力，會(huì)造成很大的壓力或切斷率，繼而形成點(diǎn)。

這些現(xiàn)象一般為可見的表面裂縫，或2至3個(gè)電極間的內(nèi)部；表面一般會(huì)沿著強(qiáng)的壓力線及陶瓷位移的方向。

真空檢拾頭導(dǎo)致的損壞或﹐一般會(huì)在芯片的表面形成一個(gè)圓形或半月形的壓痕面積﹐并帶有不圓滑的邊緣。此外﹐這個(gè)半月形或圓形的裂縫直經(jīng)也和吸頭相吻合。

另一個(gè)由吸頭所造成的損環(huán)﹐因拉力而造成的﹐裂縫會(huì)由組件中央的一邊伸展到另一邊﹐這些裂縫可能會(huì)蔓延至組件的另一面﹐并且其粗糙的裂痕可能會(huì)令電容器的底部破損。

薄膜電容廠家概述薄膜電容

為了增加電容器的電容量，通常采用將金屬電極軋陳箔與絕緣介質(zhì)薄膜一同卷繞成芯子以盡可能減小體積，這樣就形成了薄膜電容器。薄膜電容器由于介質(zhì)材料的多樣性，使薄膜電容器稱為電容器家族中豐富多彩的一個(gè)分支。薄膜電容器可以根據(jù)絕緣介質(zhì)的不同分為紙介質(zhì)、有機(jī)介質(zhì)等。紙介質(zhì)是薄膜電容器早的介質(zhì)，由于其自身特有的性能，在的有機(jī)介質(zhì)大量應(yīng)用的今天，紙介質(zhì)仍具有其應(yīng)用價(jià)值。有機(jī)介質(zhì)也可以分為聚乙烯、聚、聚四氟乙烯、聚、聚酯、聚碳酸酯、聚酰、聚砜、聚苯硫醚、漆膜等。不同的介質(zhì)具有不同的電氣性能，可以根據(jù)不同的應(yīng)用選擇相應(yīng)的介質(zhì)電容器。