氧化鎂（MgO）是極1好的單晶基片而廣泛應用于制作鐵電薄膜、磁學薄膜、光電薄膜和高溫超導薄膜等，由于它在微波波段的介電常數(shù)和損耗都很小，且能得到大面積的基片（直徑2英吋及更大），所以是當前產(chǎn)業(yè)化的重要高溫超導薄膜單晶基片之一。 

主要性能參數(shù) 尺寸：10x3，10x5，10x10，15x15，，20x15，20x20，dia2” x 0.33mm dia2” x 0.43mm 15 x 15 mm；厚度：0.5mm，1.0mm；拋光：單面或雙面；晶向：<001>±0.5o；晶面定向精度:±0.5°；邊緣定向精度:2°（特殊要求可達1°以內）；斜切晶片：可按特定需求，加工邊緣取向的晶面按特定角度傾斜（傾斜角1°－45°）的晶片；Ra:≤5A（5μm×5μm）。

純氧化鎂一般是純度非常高的氧化鎂，其制備工藝一般有氣相法，即將高純度金屬鎂和氧反應生成晶核,然后 使顆粒繼續(xù)成長,制得高純度微粉氧化鎂。含氧化鎂80%(重量)以上的粗原料用無機酸(硫酸、鹽酸)以摩爾比1:2的比例進行溶解,制成無機酸的鎂鹽。精制除去其中雜質,于氧氣氣氛下進行加壓加熱處理,再經(jīng)水洗、脫水、干燥,于1100℃加熱1小時,制得高純度氧化鎂。

 經(jīng)1000℃以上高溫灼燒可轉變?yōu)榫w，升至1500℃以上則成死燒氧化鎂或燒結氧化鎂。暴露在空氣中，容易吸收水分和二氧化碳而逐漸成為堿式碳酸鎂，輕質品較重質品更快，與水結合在一定條件下生成氫氧化鎂，呈微堿性反應，飽和水溶液的pH為10.3。氧化鎂可做硫化劑、活性劑，還可作填充劑;能提高硫化膠的定伸應力，防止膠燒。它可增加膠料的堿性、同時具有吸酸作用、增加耐熱和導熱性、有利于硫化速度的提高。