縮微技術(shù)

數(shù)字技術(shù)高度發(fā)展的時代，縮微技術(shù)與數(shù)字技術(shù)緊密地結(jié)合起來—數(shù)模影像整合系統(tǒng)，充分發(fā)揮縮微技術(shù)長于“存”、數(shù)字技術(shù)長于“用”的特點。也就是說，也就是說通過利用柯達數(shù)字存檔機及相應(yīng)的軟件系統(tǒng)，將數(shù)字技術(shù)的優(yōu)點，即數(shù)字傳輸?shù)目焖傩?、邏輯性和便利性，同縮微技術(shù)的安全可靠性、長久性、真實性和經(jīng)濟性以及法律效力性結(jié)合在一起，共同納入信息資料現(xiàn)代化管理的技術(shù)軌道。

不同類別存儲器的基本原理

存儲器分為易失性存儲器和非易失性存儲器。

易失性存儲器分SRAM和DRAM；非易失性存儲器以Nor-flash和Nand-flash為典型代表。DRAMDRAM cell結(jié)構(gòu)由1個MOS和1個電容組成，由電容是否帶電荷來區(qū)分0和1。不過，由于電容漏電流的原因，DRAM無法長時間保存數(shù)據(jù)，需要“動態(tài)”刷新（刷新周期在亞ms級別）。

NAND FLASH的結(jié)構(gòu)和特性

通過NAND FLASH的結(jié)構(gòu)原理圖，可見每個Bit Line下的基本存儲單元是串聯(lián)的，NAND讀取數(shù)據(jù)的單位是Page，當(dāng)需要讀取某個Page時，F(xiàn)LASH 控制器就不在這個Page的Word Line施加電壓，而對其他所有Page的Word Line施加電壓（電壓值不能改變Floating Gate中電荷數(shù)量），讓這些Page的所有基本存儲單元的D和S導(dǎo)通，而我們要讀取的Page的基本存儲單元的D和S的導(dǎo)通/關(guān)斷狀態(tài)則取決于Floating Gate是否有電荷，有電荷時，Bit Line讀出‘0’，無電荷Bit Line讀出‘1’，實現(xiàn)了Page數(shù)據(jù)的讀出，可見NAND無法實現(xiàn)位讀?。碦andom Access），程序代碼也就無法在NAND上運行。

DRAM市場發(fā)展史

DRAM領(lǐng)域經(jīng)過幾十年的周期循環(huán)，玩家從80年代的40~50家，逐漸減少到了08年金融危機之前的五家，分別是：三星(韓)、SK海力士(韓)、奇夢達(德)、鎂光(美)和爾必達(日)，五家公司基本控制了DRAM供給，終端產(chǎn)品廠商如金士頓，幾乎沒有DRAM生產(chǎn)能力，都要向它們采購原材料。按照常理來說，格局已經(jīng)趨穩(wěn)，價格戰(zhàn)理應(yīng)偃旗息鼓，可惜的是，韓國人并不答應(yīng)，尤其是三星。