華科智源IGBT測試儀制造標準 華科智源IGBT測試儀HUSTEC-1200A-MT除滿足本技術(shù)規(guī)格書的要求外，在其設(shè)計、制造、試驗、檢定等制程中還應(yīng)滿足以下標準的版本。負載電感 配備自動切換開關(guān)，可分別接通不同電感值，由計算機控制自動接通。 GB/T 29332-2012 半導體器件分立器件第9 部分：絕緣柵雙極晶體管（IGBT） GB 13869-2008 用電安全導則 GB19517-2004 國家電器設(shè)備安全技術(shù)規(guī)范 GB 4208-2008 外殼防護等級（IP 代碼）（IEC 60529：2001，IDT） GB/T 191-2008 包裝儲運圖示標志 GB/T 15139-1994 電工設(shè)備結(jié)構(gòu)總技術(shù)條件 GB/T 2423 電工電子產(chǎn)品環(huán)境試驗 GB/T 3797-2005 電氣控制設(shè)備 GB/T 4588.3-2002 印制板的設(shè)計和使用 GB/T 9969-2008 工業(yè)產(chǎn)品使用說明書總則 GB/T 6988-2008 電氣技術(shù)用文件的編制 GB/T 3859.3 半導體變流器變壓器和電抗器 GB/T 4023-1997 半導體器件分立器件和集成電路第2 部分:整流二極管

大功率半導體器件為何有老化的問題？

任何產(chǎn)品都有設(shè)計使用壽命，同一種產(chǎn)品不同的使用環(huán)境和是否得到相應(yīng)的維護，延長產(chǎn)品使用壽命和設(shè)備良好運行具有極為重要。操作系統(tǒng)、備份、保存、遠程控制編輯、上傳、故障自檢報警等基本功能。功率元件由于經(jīng)常有大電流往復(fù)的沖擊，對半導體結(jié)構(gòu)均具有一定的耗損性及破壞性，若其工作狀況又經(jīng)常在其安全工作區(qū)的邊緣，更會加速元件的老化程度，故元件老化，就如人的老化一樣是不可避免的問題。

產(chǎn)品主要有電力半導體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測及可靠性設(shè)備，電氣自動化設(shè)備，電冶、電化學裝置，電力半導體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動器、遠距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動板等。IGBT靜態(tài)參數(shù)測試部分主要材料技術(shù)要求 1）閾值電壓測試電路 閾值電壓測試電路（僅示出IEC標準測試電路） 。

其中：Vcc 試驗電壓源 ±VGG 柵極電壓 C1 箝位電容 Q1 陪測器件（實際起作用的是器件中的續(xù)流二極管） L 負載電感 ：100uH、200uH、500uH、1000uH自動切換 IC 集電極電流取樣電流傳感器 DUT 被測器件 關(guān)斷時間采用單脈沖測試，由計算機設(shè)定并控制輸出集電極電壓VCC值到被測器件的測試要求值（一般為被測器件額定電壓的1/2），設(shè)定±VGG到測試要求值，開關(guān)被測器件DUT一次，被測器件的開沖持續(xù)時間必須保證DUT完全飽和，同時監(jiān)測集電極電流IC、柵極-發(fā)射極電壓VGE和集電極-發(fā)射極電壓VCE，記錄下被測器件IC、VCE以及VGE的波形，其中，VCE采樣到示波器的CH1通道，IC取樣到示波器的CH2通道，VGE采樣到示波器的CH3通道，示波器通過光通訊方式將測試波形傳輸給計算機，由計算機對測試波形進行分析與計算，后顯示測試結(jié)果。以下參數(shù)的測試可以在不同的電壓等級、電流等級、溫度、機械壓力、回路寄生電感以及不同的驅(qū)動回路參數(shù)下進行。