碳化硅（SiC）是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加NaCl）等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅理化性質：物質特性。碳化硅由于化學性能穩(wěn)定、導熱系數(shù)高、熱膨脹系數(shù)小、耐磨性能好，除作磨料用外，還有很多其他用途，例如：以特殊工藝把碳化硅粉末涂布于水輪機葉輪或汽缸體的內壁，可提高其耐磨性而延長使用壽命1～2倍。

碳化硅理化性質：碳化硅晶體結構分為六方或菱面體的 α-SiC和立方體的β-SiC（稱立方碳化硅)。α-SiC由于其晶體結構中碳和硅原子的堆垛序列不同而構成許多不同變體，已發(fā)現(xiàn)70余種。β-SiC于2100℃以上時轉變?yōu)棣?SiC。碳化硅的工業(yè)制法是用高質量的石英砂和石油焦在電阻爐內煉制。煉得的碳化硅塊，經破碎、酸堿洗、磁選和篩分或水選而制成各種粒度的產品。

碳化硅在三大領域的作用？

在半導體領域的應用：碳化硅一維納米材料由于自身的微觀形貌和晶體結構使其具備更多獨特的優(yōu)異性能和更加廣泛的應用前景，被普遍認為有望成為第三代寬帶隙半導體材料的重要組成單元。第三代半導體材料即寬禁帶半導體材料，又稱高溫半導體材料，主要包括碳化硅、氮化、氮化鋁、氧化鋅、金剛石等。

這類材料具有寬的禁帶寬度、高的熱導率、高的擊穿電場、高的抗輻射能力、高的電子飽和速率等特點，適用于高溫、高頻、抗輻射及大功率器件的制作。第三代半導體材料憑借著其優(yōu)異的特性，未來應用前景十分廣闊。碳化硅可用于單晶硅、多晶硅、鉀、石英晶體等、太陽能光伏產業(yè)、半導體產業(yè)、壓電晶體產業(yè)工程性加工材料。

廠產生的能量來自于燃料元件，核裂變產生的性裂變產物主要滯留在燃料元件內部，因此，燃料元件是反應堆的核心部件，直接影響核反應堆的經濟性和安全性?？梢灶A見，隨著核安全性要求的不斷提高，碳化硅材料在核能領域將獲得更加廣泛的應用，發(fā)揮更加重要的作用。

鑒于碳化硅材料各方面的優(yōu)良特性，其有望成為重要的第三代半導體材料，未來會取代目前廣泛應用的硅半導體材料，其應用領域更廣，潛在市場更大，關系到國家經濟的長遠發(fā)展和戰(zhàn)略安全。隨著我國新能源汽車的推廣和電網的升級改造，碳化硅材料將在電動汽車充電樁、提高電動汽車能源效率、智能電網建設、計算機領域等諸多方面得到大規(guī)模應用。