您好,歡迎來到易龍商務(wù)網(wǎng)!
發(fā)布時間:2021-03-06 02:57  
【廣告】





光刻膠市場
據(jù)統(tǒng)計資料顯示,2017年中國光刻膠行業(yè)產(chǎn)量達(dá)到7.56萬噸,較2016年增加0.29萬噸,其中,中國本土光刻膠產(chǎn)量為4.41萬噸,與7.99萬噸的需求量差異較大,說明我國供給能力還需提升。
國內(nèi)企業(yè)的光刻膠產(chǎn)品目前還主要用于PCB領(lǐng)域,代表企業(yè)有晶瑞股份、科華微電子。
在半導(dǎo)體應(yīng)用領(lǐng)域,隨著汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等發(fā)展,會在一定程度上增加對G線、I線的需求,利好G線、I線等生產(chǎn)企業(yè)。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。預(yù)計G線正膠今后將占據(jù)50%以上市場份額,I線正膠將占據(jù)40%左右的市場份額,DUV等其他光刻膠約占10%市場份額,給予北京科華、蘇州瑞紅等國內(nèi)公司及美國futurrex的光刻膠較大市場機會。
NR9-3000PYNR9 3000PY光刻膠廠家
三、光刻膠涂覆(Photoresist Coating)
光刻膠涂覆通常的步驟是在涂光刻膠之前,先在900-1100度濕氧化。氧化層可以作為濕法刻蝕或B注入的膜版。作為光刻工藝自身的首先過程,一薄層的對紫外光敏感的有機高分子化合物,即通常所說的光刻膠,要涂在樣品表面(SiO2)。同時,傳統(tǒng)的光刻膠干法刻蝕去除光刻膠時,光刻膠最外面的外殼阻擋了光刻膠內(nèi)部的熱量的散發(fā),光刻膠內(nèi)部膨脹應(yīng)力增大,導(dǎo)致層多晶硅倒塌的現(xiàn)象。首先光刻膠被從容器中取出滴布到置于涂膠機中的樣品表面,(由真空負(fù)壓將樣品固定在樣品臺上),樣品然后高速旋轉(zhuǎn),轉(zhuǎn)速由膠粘度和希望膠厚度確定。在這樣的高速下,膠在離心力的作用下向邊緣流動。
涂膠工序是圖形轉(zhuǎn)換工藝中初的也是重要的步驟。涂膠的質(zhì)量直接影響到所加工器件的缺陷密度。為了保證線寬的重復(fù)性和接下去的顯影時間,同一個樣品的膠厚均勻性和不同樣品間的膠厚一致性不應(yīng)超過±5nm(對于1.5um膠厚為±0.3%)。
光刻膠的目標(biāo)厚度的確定主要考慮膠自身的化學(xué)特性以及所要圖形中線條的及間隙的微細(xì)程度。太厚膠會導(dǎo)致邊緣覆蓋或連通、小丘或田亙狀膠貌、使成品率下降。在MEMS中、膠厚(烤后)在0.5-2um之間,而對于特殊微結(jié)構(gòu)制造,膠厚度有時希望1cm量級。A據(jù)我所知,F(xiàn)uturrex有幾款膠很,NR7-1500PNR7-3000P是專門為離子蝕刻設(shè)計的,NR9-3000PY可以用于Lift-off上的應(yīng)用。在后者,旋轉(zhuǎn)涂膠將被鑄膠或等離子體膠聚合等方法取代。常規(guī)光刻膠涂布工序的優(yōu)化需要考慮滴膠速度、滴膠量、轉(zhuǎn)速、環(huán)境溫度和濕度等,這些因素的穩(wěn)定性很重要。
在工藝發(fā)展的早期,負(fù)膠一直在光刻工藝中占主導(dǎo)地位,隨著VLSI IC和2~5微米圖形尺寸的出現(xiàn),負(fù)膠已不能滿足要求。隨后出現(xiàn)了正膠,但正膠的缺點是粘結(jié)能力差。
用正膠需要改變掩膜版的極性,這并不是簡單的圖形翻轉(zhuǎn)。因為用掩膜版和兩種不同光刻膠結(jié)合,在晶園表面光刻得到的尺寸是不一樣的,由于光在圖形周圍的衍射效應(yīng),使得用負(fù)膠和亮場掩膜版組合在光刻膠層上得到的圖形尺寸要比掩膜版上的圖形尺寸小。在光刻膠生產(chǎn)種類上,我國光刻膠廠商主要生產(chǎn)PCB光刻膠,而LCD光刻膠和半導(dǎo)體光刻膠生產(chǎn)規(guī)模較小,相關(guān)光刻膠主要依賴進(jìn)口。用正膠和暗場掩膜版組合會使光刻膠層上的圖形尺寸變大。
NR77-25000PNR9 3000PY光刻膠廠家
NR77-5000PY
PR1-2000A1 試驗操作流程
PR1-2000A1的厚度范圍可以做到 1500到3500nm,如下以膜厚2900nm為列;
1,靜態(tài)滴膠后以1300轉(zhuǎn)/分速度持續(xù)40秒。同時必須需要在1秒內(nèi)達(dá)到從0轉(zhuǎn)/分到1300轉(zhuǎn)/分的升速度;
2,前烘:熱板120度120秒;
3,冷卻至室溫;
4,用波長為365,406,436的波長曝光,
5,在溫度為20-25度,使用RD6浸泡式、噴霧、顯影 ;
6,去除光刻膠,可使用CH3COCH3,RR5,RR41等。