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PR1 2000A1光刻膠價格質(zhì)量放心可靠「多圖」

發(fā)布時間:2021-07-03 07:04  

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政策扶持

為促進我國光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,國家02重大專項給予了大力支持。今年5月,02重大專項實施管理辦公室組織任務驗收組、財務驗收組通過了“極紫外光刻膠材料與實驗室檢測技術研究”項目的任務驗收和財務驗收。

據(jù)悉,經(jīng)過項目組全體成員的努力攻關,完成了EUV光刻膠關鍵材料的設計、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實驗室光刻膠性能的初步評價裝備的研發(fā),達到了任務書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標。在28nm生產(chǎn)線產(chǎn)能尚未得到釋放之前,ArF光刻膠仍是市場主流半導體應用廣泛,需求增長持續(xù)性強。項目共申請發(fā)明15項(包括國際5項),截止到目前,共獲得授權10項(包括國際授權3項)。


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4,曝光

前烘好的存底放在光刻膠襯底放在光刻機上,經(jīng)與光刻版對準后,進行曝光,接受光照的光刻膠發(fā)生化學變化,形成潛影,

光源與光刻膠相匹配,也就是光源波長在光刻膠的敏感波段;

對準:指光刻板上與襯底的對版標記應準確對準,這樣一套光刻版各版之間的圖形才能彼此套準。

曝光時間,由光源強度,光刻膠種類,厚度等決定,

另外,為降低駐波效應影響,可在曝光后需進行烘焙,稱為光后烘焙(PEB


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表征光刻膠特性和性能、質(zhì)量的參數(shù)有以下三個:
(1)光學性質(zhì)。光刻膠的光學性質(zhì)包括光敏度和折射率。顯示器,OLEDs,波導(waveguides),VCSELS,成像,電鍍,納米碳管,微流體,芯片倒裝等方面。
(2)力學特性和化學特性。光刻膠的力學特性和化學特性包括膠的固溶度、黏滯度、黏著度、抗蝕(刻蝕、腐蝕)性、熱穩(wěn)定性、流動性和對環(huán)境氣氛(如氧氣)的敏感度。
(3)其他特性。光刻膠的其他特性包括膠的純度、膠內(nèi)的金屬含量、膠的可應用范圍、膠的儲存有效期和膠的燃點。


光刻膠

光刻膠由光引發(fā)劑、樹脂、溶劑等基礎組分組成,又被稱為光致抗蝕劑,這是一種對光非常敏感的化合物。AFuturrex,NR4-8000P比干膜,和其他市面上的濕膜更加適合,和理想。此外,光刻膠中還會添加光增感劑、光致產(chǎn)酸劑等成分來達到提高光引發(fā)效率、優(yōu)化線路圖形精密度的目的。在受到紫外光曝光后,它在顯影液中的溶解度會發(fā)生變化。

分類

根據(jù)光刻膠按照如何響應紫外光的特性可以分為兩類。

正膠

曝光前對顯影液不可溶,而曝光后變成了可溶的,能得到與掩模板遮光區(qū)相同的圖形。

優(yōu)點:分辨率高、對比度好。

缺點:粘附性差、抗刻蝕能力差、高成本。

靈敏度:曝光區(qū)域光刻膠完全溶解時所需的能量

負膠egative






Photo Resist)

與正膠反之。

優(yōu)點: 良好的粘附能力和抗刻蝕能力、感光速度快。

缺點: 顯影時發(fā)生變形和膨脹,導致其分辨率。

靈敏度:保留曝光區(qū)域光刻膠原始厚度的50%所需的能量。