溫度對(duì)微弧氧化的影響

       微弧氧化與陽(yáng)極氧化不同，所需溫度范圍較寬。一般為10—90度。溫度越高，成膜越快，但粗糙度也增加。且溫度高，會(huì)形成水氣。一般建議在20—60度。由于微弧氧化以熱能形式釋放，所以液體溫度上升較快，微弧氧化過程須配備容量較大的熱交換制冷系統(tǒng)以控制槽液溫度。所以微弧氧化過程中一定要控制好溫度。微弧氧化電解液組成及工藝條件微弧氧化電解液組成：K2SiO35～10g/L，Na2O24～6g/L，NaF0。微弧、微弧氧化、微弧氧化技術(shù)、微弧氧化電源

微弧氧化過程

       在微弧氧化處理過程中，待氧化試樣與電源正極相連，作為陽(yáng)極浸入電解液之中，不銹鋼電解槽作為陰極與電源負(fù)極相連。在開通電源后，正脈沖電壓快速升高，電流迅速下降，作為陽(yáng)極的待氧化試樣開始進(jìn)行陽(yáng)極氧化,產(chǎn)生大量微小氣泡，同時(shí)在試樣表面形成了一層極薄的鈍化膜。當(dāng)外加脈沖電壓超過一定值時(shí)，材料表面出現(xiàn)一層極細(xì)微均勻的放電火花，這種微區(qū)火花放電現(xiàn)象在試樣表面不同位置出現(xiàn)，在待微弧氧化表面原位生長(zhǎng)陶瓷膜層，以達(dá)到強(qiáng)化材料表面的目的。膜層硬度高（維氏硬度可由幾百至三千左右）膜層與基體為冶金結(jié)合、厚度在幾微米至幾百微米之間。微弧氧化設(shè)備、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化電源、鋁合金微弧氧化、微弧噴涂

微弧氧化技術(shù)

       微弧氧化又稱微等離子體氧化、陽(yáng)極火花沉積 或火花放電陽(yáng)極氧化,，還有人稱之為等離子體增強(qiáng)電化學(xué)表面陶瓷化  。該技術(shù)的基本原理及特點(diǎn)是：在普通陽(yáng)極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強(qiáng)并ji活在陽(yáng)極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成的強(qiáng)化陶瓷膜的方法。溶液溫度對(duì)鋁型材微弧氧化的效果影響1、溫度低時(shí)，氧化工業(yè)鋁型材的生長(zhǎng)速度較快，工業(yè)鋁型材致密，性能較佳。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化圖片、微弧氧化技術(shù)設(shè)備