在整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈中，中國投入資金的就屬晶圓代工部份。具體來說，晶圓代工就是在硅晶圓上制作電路與電子元件，這個步驟為整個半導體產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)復雜，且資金投入的領(lǐng)域。    以處理器為例，其所需處理步驟可達數(shù)百道，且各類加工機臺先進又昂貴，動輒數(shù)千萬美元起跳。而一個成熟的晶圓代工廠其設(shè)備投入占總設(shè)備比重在70%～80%之間。    氧化：其目的在于生成二氧化硅薄膜。用硅作為半導體原材料的重要因素之一就是硅容易生長出二氧化硅膜層，這樣在半導體上結(jié)合一層絕緣材料，就可用做摻雜阻擋層、表面絕緣層，及元件中的絕緣部分。




離子植入：其是用來控制半導體中雜質(zhì)量的關(guān)鍵程序，對半導體表面附近區(qū)域進行摻雜技術(shù)。優(yōu)點在于雜質(zhì)量的控制，雜質(zhì)分布的再重整，及低溫下操作。    離子植入機主要的供廠商為AMAT，中國部份只有中電科電子裝備公司能供應。市場預計今明兩年中國離子植入機需求可達5億美元與7億美元。    沉積：PVD沉積為一種物理制程，此技術(shù)一般使用等惰性氣體，藉由在高真空中將離子以加速撞擊濺鍍靶材后，將靶材原子一個個濺擊出來，使被濺擊出來的材質(zhì)沉積在晶圓表面。    薄膜沉積設(shè)備主要的供應商包含應用材料、Vaportech、LamResearch、ASM、Tokki等。而中國相關(guān)設(shè)備制造廠有北方華創(chuàng)、沈陽拓荊等。北方華創(chuàng)是中國薄膜沉積設(shè)備龍頭，目前技術(shù)已達到14nm。市場預計今明兩年中國薄膜沉積設(shè)備需求可達15億美元與20億美元。    測試：在晶圓完成制造之前，會有一道晶圓中測工序。在測試過程中，會檢測每一個芯片的電路功能。




此時要注意手不能直接接觸到器件鍍膜表面(可以用工具例如鑷子等，戴指套或橡膠手套)，且擦拭時要順著一個方向。    主要部件保養(yǎng)建議（頻率視設(shè)備使用情況靈活調(diào)整）    1.出現(xiàn)異常現(xiàn)象時，首先切斷一切電源，再進行檢查；    2.機器應該放在通風的地方或恒溫室中，因為超過某一溫度后，會影響激光器正常工作；    3.保持室內(nèi)及設(shè)備表面整潔干凈；    4.定期檢查各光學器件是否有污染，如有污染時清潔；    5.不要重壓升降平臺，防止精度降低；