3、系統(tǒng)基本參數(shù)

3.1 電 壓 源：220VAC ±10% ，50Hz/60Hz 20A RMS；

3.2 加熱功能：室溫～150℃；

3.3 測(cè)試功能：可測(cè)試IGBT模塊及FRD；

3.4 環(huán)境溫度：25℃±15℃；

3.5 環(huán)境濕度：50% ±20% （相對(duì)濕度）

4、動(dòng)態(tài)測(cè)試基本配置

4.1 集電級(jí)電壓 Vcc： 50 ~ 1000V；

4.2 集電極電流 Ic： 50 ~ 1000A 感性負(fù)載；

4.3 電流持續(xù)時(shí)間 It： 10 ~ 1000 us 單個(gè)脈沖或雙脈沖的總時(shí)間； 4.4 脈 沖 模 式： 單脈沖和雙脈沖；

4.5 單電流脈沖的設(shè)置： Vcc，Ic, 電感值（自動(dòng)計(jì)算脈寬）；

4.6 雙電流脈沖的設(shè)置： Vcc, Ic, 電感值，間隙時(shí)間（10到50us）(脈寬自動(dòng)計(jì)算)；

（開(kāi)啟Qrr測(cè)試：第二個(gè)脈寬＝間隙時(shí)間，10~50us）；

4.7 設(shè)備寄生電感 Lint: < 65nH（感性動(dòng)態(tài)測(cè)試）。

產(chǎn)品主要有電力半導(dǎo)體器件、組件、模塊（包括IGBT器件、新型SiC器件、功率晶閘管及功率整流管等）的檢測(cè)及可靠性設(shè)備，電氣自動(dòng)化設(shè)備，電冶、電化學(xué)裝置，電力半導(dǎo)體變流裝置及各種高、中、低頻感應(yīng)加熱電源、感應(yīng)加熱爐，晶閘管高壓閥組、GTO、IGBT、IGCT、MOSFET驅(qū)動(dòng)器、遠(yuǎn)距離光電轉(zhuǎn)換軟件控制系統(tǒng)、光電脈沖觸發(fā)板、IGBT的智能高壓驅(qū)動(dòng)板等。1開(kāi)通：turnon(tdon,tr,di/dt,Ipeak,Eon,Pon)。

3）IGBT飽和壓降/FRD正向?qū)▔航禍y(cè)試電路 通態(tài)壓降測(cè)試電路 ?高壓充電電源：10~1500V連續(xù)可調(diào) ?支撐電容：額定電壓2kV ?飽和通態(tài)壓降電壓探頭精度要求：0.1～10V±3%±0.01V ?柵極電壓輸出要求：5～25V±1%±0.01V ?集電極電流測(cè)試設(shè)備精度： 200～500A±3%±1A；500～1000A±2%±2A ?IGBT動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)技術(shù)要求1、設(shè)備概述該設(shè)備用于功率半導(dǎo)體模塊（IGBT、FRD、肖特基二極管等）的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試，以表征器件的動(dòng)態(tài)特性，通過(guò)測(cè)試夾具的連接，實(shí)現(xiàn)模塊的動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試。測(cè)試脈沖寬度：0.1~1ms可設(shè)定 4）柵極漏電流測(cè)試電路 柵極漏電流測(cè)試電路 ?可調(diào)電源：±1Ｖ～±40V±2%±0.1V； ?小電流測(cè)量設(shè)備精度：0.01～10μA±2%±0.005μA ?柵極電壓Vge：±1Ｖ～40V±1%±0.1V； ?脈沖時(shí)間：40~100ms可設(shè)定