電子元器件產(chǎn)業(yè)三年內(nèi)要有大變化

著眼于推進(jìn)我國(guó)基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)化與產(chǎn)業(yè)鏈現(xiàn)代化，1月29日，印發(fā)《基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)業(yè)發(fā)展行動(dòng)計(jì)劃（2021-2023年）》（下文簡(jiǎn)稱(chēng)《行動(dòng)計(jì)劃》）。

該“三年行動(dòng)計(jì)劃”將技術(shù)前沿、前景廣闊、牽引性強(qiáng)的智能終端、5G、工業(yè)互聯(lián)網(wǎng)、數(shù)據(jù)中心、新
能源汽車(chē)等關(guān)鍵市場(chǎng)著重圈出。

“無(wú)器件，不產(chǎn)品”，不需要電子元器件的場(chǎng)景已不存在。

就像建房要用到一磚一瓦，電子元器件隱身于整機(jī)產(chǎn)品中，已滲透至國(guó)民經(jīng)濟(jì)各角落和社會(huì)生活各方面，廣泛應(yīng)用于智能終端、汽車(chē)電子、5G通信、物聯(lián)網(wǎng)以及航空航天、能源交通、軍事裝備等領(lǐng)域，成為支撐信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)發(fā)展的基石，保障產(chǎn)業(yè)鏈供應(yīng)鏈安全穩(wěn)定的關(guān)鍵。

量大面廣的電子元器件如同現(xiàn)代工業(yè)的糧食，電子信息技術(shù)強(qiáng)國(guó)均予以高度重視。

《行動(dòng)計(jì)劃》設(shè)立的總體目標(biāo)為，“到2023年，競(jìng)爭(zhēng)力進(jìn)一步增強(qiáng)，產(chǎn)業(yè)鏈安全供應(yīng)水平顯著提升，重要行業(yè)的基礎(chǔ)電子元器件產(chǎn)品實(shí)現(xiàn)突破，配套供應(yīng)鏈基本健全”。

中國(guó)電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院副院長(zhǎng)黃子河介紹，針對(duì)產(chǎn)業(yè)規(guī)模、技術(shù)創(chuàng)新、企業(yè)發(fā)展三個(gè)方向，《行動(dòng)計(jì)劃》提出了具體目標(biāo)。分別為，爭(zhēng)取到2023年，電子元器件行業(yè)銷(xiāo)售總額達(dá)到2.1萬(wàn)億元的產(chǎn)業(yè)規(guī)模，進(jìn)一步鞏固我國(guó)的電子元器件大國(guó)地位；關(guān)鍵產(chǎn)品技術(shù)取得突破，爭(zhēng)取在射頻濾波器、高速連接器、多層陶瓷電容器等產(chǎn)品領(lǐng)域技術(shù)取得重大進(jìn)展，布局更加完善；培育一批大型企業(yè)，爭(zhēng)取銷(xiāo)售規(guī)模達(dá)到百億元的企業(yè)數(shù)量達(dá)到15家以上，涌現(xiàn)出一批專(zhuān)精特新“小巨人”企業(yè)和制造業(yè)單項(xiàng)企業(yè)。

《行動(dòng)計(jì)劃》指向重大產(chǎn)業(yè)發(fā)展急需、應(yīng)用前景較為明朗、有望取得階段性突破的若干重點(diǎn)電子元器件產(chǎn)品。特別針對(duì)智能終端市場(chǎng)、5G、新能源汽車(chē)和智能網(wǎng)聯(lián)汽車(chē)市場(chǎng)等技術(shù)前沿、前景廣闊、牽引性強(qiáng)的領(lǐng)域。

談?wù)摕衢T(mén)的太赫茲芯片

在太赫茲芯片相關(guān)的基礎(chǔ)設(shè)施方面，與太赫茲技術(shù)相關(guān)的芯片通常采用成熟的工藝，比如今年 ISSCC的八篇，全部采用28 nm和以前的工藝(大部分采用65 nm工藝)，這是因?yàn)橄冗M(jìn)工藝的器件特性對(duì)于太赫茲技術(shù)來(lái)說(shuō)并不是很大。他說(shuō)：“我們預(yù)計(jì)，未來(lái)太赫茲芯片的芯片工藝將逐漸向28 nm轉(zhuǎn)移，但不能使用16 nm以下。其結(jié)果是，中國(guó)的太赫茲芯片不受半導(dǎo)體工藝的限制。

但在半導(dǎo)體工藝之外，中國(guó)在太赫茲芯片領(lǐng)域的基礎(chǔ)設(shè)施在 EDA領(lǐng)域落后。目前太赫茲 EDA主要利用 Ansys的 HFSS做無(wú)源器件(以及波導(dǎo))模擬，同時(shí)將電路級(jí)有源器件的常用模擬 Cadence的 SpectreRF集成起來(lái)。這方面，中國(guó)的 EDA技術(shù)與世界水平相比還有不少差距。

在太赫茲芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域，中科院上海微系統(tǒng)所、中電38所、50所等科研機(jī)構(gòu)都有相關(guān)投入。另外，在太赫茲芯片商用化領(lǐng)域，一些中國(guó)的創(chuàng)業(yè)公司也正在努力。舉例來(lái)說(shuō)，以太赫茲安檢成像技術(shù)為主導(dǎo)的新公司微度芯創(chuàng)公司，已有80 GHz雷達(dá)芯片量產(chǎn)，160 GHz雷達(dá)芯片已完成驗(yàn)證，240 GHz雷達(dá)芯片正在設(shè)計(jì)中，預(yù)計(jì)在未來(lái)幾年內(nèi)其產(chǎn)品將會(huì)進(jìn)入下一代基于太赫茲成像的高通量安檢產(chǎn)品，值得我們期待。當(dāng)太赫茲技術(shù)進(jìn)一步成熟時(shí)，我們相信中國(guó)的相關(guān)芯片領(lǐng)域也會(huì)越來(lái)越多。這個(gè)領(lǐng)域并非完全陌生，很多設(shè)計(jì)技巧和毫米波電路和系統(tǒng)都可以說(shuō)是一脈相承的，除此之外，中國(guó)還有很大的安全檢測(cè)市場(chǎng)，所以我們認(rèn)為中國(guó)在未來(lái)太赫茲芯片設(shè)計(jì)領(lǐng)域?qū)?huì)世界的潮流。

IC 基板的金屬化實(shí)現(xiàn)可靠

 IC 封裝的鍍銅解決方案

豐富的金屬化選項(xiàng)使我們能夠?yàn)槟峁┡c您選擇的電介質(zhì)兼容的金屬化。我們緊跟 IC 封裝的趨勢(shì)，并了解提高封裝可靠性的具有成本效益的解決方案的需求。

同創(chuàng)芯提供：1、促進(jìn)更好附著力的表面處理；2、化學(xué)鍍銅種子沉積使介電層導(dǎo)電；3、過(guò)孔填充、銅柱和再分布層 (RDL) 的電鍍。

我們專(zhuān)注于純銅電鍍，以在球柵陣列 (BGA) 和芯片級(jí)封裝 (CSP) 的基板上實(shí)現(xiàn)的互連。高均鍍能力導(dǎo)致出色的厚度分布。即使覆蓋具有復(fù)雜幾何形狀的基板，也能確保高程度的可靠性。

選擇同創(chuàng)芯作為您的材料解決方案合作伙伴，為您提供：

1、低成本、的濕化學(xué)優(yōu)勢(shì)；

2、選擇標(biāo)準(zhǔn)電鍍選項(xiàng)或量身定制的個(gè)性化配方以?xún)?yōu)化您的設(shè)備性能；

3、滿足所有 IC 基板金屬化需求的完整解決方案。