國內外研究人員一直致力于開發(fā)取代電鍍的表面防護技術的研究,物理氣相沉積(PVD)技術作為一種環(huán)境友好技術,具有很多其他技術所不具備的特點,通過控制其工藝參數(shù)可以得到晶粒細小、厚度均勻、膜基結合力優(yōu)異的鍍層;同時由于PVD是一種干法鍍技術,可以避免濕法鍍時酸性或堿性電解質溶液殘留在磁體孔隙內和電鍍過程中磁體吸氫而導致鍍層脆裂的缺點。然而，PVD表面處理受批量生產(chǎn)成本和某些因素的限制,現(xiàn)在并沒有大規(guī)模生產(chǎn)應用。而低輻射膜則能滿足高緯度地區(qū)充分接受太陽輻射能量和阻止室內熱量外流的要求。

真空鍍膜主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜。真空鍍膜設備若有灰塵，將會影響真空鍍膜的效果和質量。真空鍍膜設備真空熱處理是指金屬制件在真空或先抽真空后通惰性氣體條件下加熱，然后在油或氣體中淬火冷卻的技術。由于真空熱處理時，工件基本不氧化，鋼件不脫碳，采用通氣對流加熱方式還可使加熱均勻，減少表面和心部的溫差，從而也減少畸變。廣泛應用于汽車、音響、各類小家電、電腦、鐘表、玩具、手機、反光杯、化妝品、玩具等行業(yè)。目前它已成為工模具不可或缺和的熱處理工藝。

  在真空條件下加熱工件，主要依賴輻射。由于輻射傳熱與溫度的4次方成比例，所以在850℃以下輻射效果不高，工件加熱速度很慢

真空鍍膜機主要指一類需要在較高真空度下進行的鍍膜，包括真空離子蒸發(fā)鍍膜機、磁控濺鍍膜機射、分子束外延鍍膜機和激光濺射沉積鍍膜機等很多種。主要是分成蒸發(fā)和濺射兩種。在真空鍍膜設備中需要鍍膜的被成為基片，鍍的材料被成為靶材。基片與靶材同在真空腔中。雖然屏蔽罩能消除表現(xiàn)為長期的不均勻性，但有些膜厚度的變化是由蒸發(fā)源的不穩(wěn)定或膜材的不同表現(xiàn)而引起的，所以幾乎是不可能消除的，但對真空室的結構和蒸發(fā)源的恰當選擇可以使這些影響化。

真空鍍膜加工表面的清潔處理非常重要，直接影響到電鍍的產(chǎn)品品質。加工件進入鍍膜室前一定要做到認真的鍍前清潔處理。