離子屬刻蝕機(jī)的注意事項(xiàng)

創(chuàng)世威納——專業(yè)離子束刻蝕機(jī)供應(yīng)商，我們?yōu)槟鷰硪韵滦畔ⅰ?

#.在設(shè)備工作時(shí),禁止扶、靠設(shè)備，禁止觸摸高頻電纜和線圈，以免發(fā)生意外

#.高頻電源實(shí)際使用功率不能超過較大限制#.檢查設(shè)備時(shí)，必須關(guān)機(jī)后切斷電源

#. 工作場(chǎng)地必須保持清潔、干燥，設(shè)備上及設(shè)備周圍不得放置無關(guān)物品，特別是易1燃、易1爆物品

#.長(zhǎng)期停放時(shí)注意防潮，拆除電源進(jìn)線，每隔3-5天開一次機(jī)，保證反應(yīng)室真空以免被污 染

#.設(shè)備停機(jī)、過夜也要保持反應(yīng)室真空，如停機(jī)較長(zhǎng)時(shí)間后再進(jìn)行刻蝕工藝，需先進(jìn)行一次空載刻蝕，再刻蝕硅片

刻蝕

刻蝕，英文為Etch，它是半導(dǎo)體制造工藝，微電子IC制造工藝以及微納制造工藝中的一種相當(dāng)重要的步驟。是與光刻相聯(lián)系的圖形化（pattern）處理的一種主要工藝。所謂刻蝕，實(shí)際上狹義理解就是光刻腐蝕，先通過光刻將光刻膠進(jìn)行光刻曝光處理，然后通過其它方式實(shí)現(xiàn)腐蝕處理掉所需除去的部分。隨著微制造工藝的發(fā)展，廣義上來講，刻蝕成了通過溶液、反應(yīng)離子或其它機(jī)械方式來剝離、去除材料的一種統(tǒng)稱，成為微加工制造的一種普適叫法。

想了解更多關(guān)于離子束刻蝕的相關(guān)資訊，請(qǐng)持續(xù)關(guān)注本公司。

離子束刻蝕機(jī)

具有一定能量的離子束轟擊樣品表面，把離子束動(dòng)能傳給樣品原子，使樣品表面的原子掙脫原子間的束縛力而濺射出來，從而實(shí)現(xiàn)刻蝕目的。這是純粹的物理濺射過程。

創(chuàng)世威納擁有先進(jìn)的技術(shù)，我們都以質(zhì)量為本，信譽(yù)高，我們竭誠(chéng)歡迎廣大的顧客來公司洽談業(yè)務(wù)。如果您對(duì)離子束刻蝕機(jī)產(chǎn)品感興趣，歡迎點(diǎn)擊左右兩側(cè)的在線客服，或撥打咨詢電話。

離子源的主要參數(shù)有：①離子束流強(qiáng)。即能夠獲得的有用離子束的等效電流強(qiáng)度，用電流單位A或mA表示。②有用離子百分比。即有用離子束占總離子束的百分比。一般來說，離子源給出的總離子束包括單電荷離子、多電荷離子、各種分子離子和雜質(zhì)元素離子等的離子束。③能散度。由于離子的熱運(yùn)動(dòng)和引出地點(diǎn)的不同，使得離子源給出的離子束的能量對(duì)要求的單一能量有一定離散，一般希望能散度盡量小，在的離子束應(yīng)用中尤其是這樣。④束的聚焦性能。以離子束的截面和張角表示。聚焦不好的離子束在傳輸過程中會(huì)使離子大量丟失。獲得良好聚焦特性的離子束的終障礙是束中離子之間的靜電排斥力，為了克服這一障礙，應(yīng)盡早使離子獲得較高能量。⑤離子源的效率。以離子束形式引出的工作物質(zhì)占總消耗的工作物質(zhì)的比例。⑥工作壽命。離子源一次安裝以后使用的時(shí)間。