若將反應(yīng)氣體導(dǎo)入蒸發(fā)空間，便可在工件表面沉積金屬化合物涂層，這就是反應(yīng)性離子鍍。由于采用等離子活化，工件只需在較低溫度甚至在室溫下進(jìn)行鍍膜，完全保證零件的尺寸精度和表面粗糙度，因此，可以安排在工件淬火、回火后即后一道工序進(jìn)行。如沉積TiN或TiC時(shí)，基體溫度可以在150-600℃范圍內(nèi)選擇，溫度高時(shí)涂層的硬度高，與基體的結(jié)合力也高?；w溫度可根據(jù)基體材料及其回火溫度選擇，如基體為高速鋼，可選擇560℃，這樣，對于經(jīng)淬火、回火并加工到尺寸的模具加工，無需擔(dān)心基體硬度降低及變形問題。另外，離子鍍的沉積速度較其他氣相沉積方法快，得到10mm厚的TiC或TiN涂層，一般只需要幾十分鐘。

化學(xué)氣相沉積的特點(diǎn)

化學(xué)氣相沉積工藝是，將加熱的模具暴露在發(fā)生反應(yīng)的混合氣氛（真空度≤1Pa）中，使氣體與模具表面發(fā)生反應(yīng)，在模具表面上生成一層薄的固相沉積物，如金屬碳化物、氮化物、硼化物等。這里有兩個(gè)關(guān)鍵因素：

一是作為初始混合氣體氣相與基體固相界面的作用，也就是說，各種初始?xì)怏w之間在界面上的反應(yīng)來產(chǎn)生沉積，或是通過氣相的一個(gè)組分與基體表面之間的反應(yīng)來產(chǎn)生沉積。

二是沉積反應(yīng)必須在一定的能量條件下進(jìn)行。一般情況下，產(chǎn)生氣相沉積的化學(xué)反應(yīng)必須有足夠高的溫度作為條件，在有些情況下，可以采用等離子體或激光輔助作為條件，降低沉積反應(yīng)的溫度。

化學(xué)氣相沉積工藝是這樣一種沉積工藝，被沉積物體和沉積元素（單元或多元）蒸發(fā)化合物置于反應(yīng)室，當(dāng)高溫氣流進(jìn)入反應(yīng)室時(shí)，可控制的反應(yīng)室可使其發(fā)生一種合適的化學(xué)反應(yīng)，導(dǎo)致被沉積物體的表面形成一種膜層，同時(shí)將反應(yīng)產(chǎn)物及多余物從反應(yīng)室蒸發(fā)排除。

化學(xué)氣相沉積（簡稱CVD），也即化學(xué)氣相鍍或熱化學(xué)鍍或熱解鍍或燃?xì)忮儯瑢儆谝环N薄膜技術(shù)。常見的化學(xué)氣相沉積工藝包括常壓化學(xué)氣相沉積（NPCVD），低壓化學(xué)氣相沉積（LPCVD），大氣壓下化學(xué)氣相沉積（APCVD）。

PCVD的工藝裝置由沉積室、反應(yīng)物輸送系統(tǒng)、放電電源、真空系統(tǒng)及檢測系統(tǒng)組成。氣源需用氣體凈化器除往水分和其它雜質(zhì)，經(jīng)調(diào)節(jié)裝置得到所需要的流量，再與源物質(zhì)同時(shí)被送進(jìn)沉積室，在一定溫度和等離子體等條件下，得到所需的產(chǎn)物，并沉積在工件或基片表面。所以，PCVD工藝既包括等離子體物理過程，又包括等離子體化學(xué)反應(yīng)過程。