政策扶持

為促進(jìn)我國(guó)光刻膠產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，國(guó)家02重大專項(xiàng)給予了大力支持。今年5月，02重大專項(xiàng)實(shí)施管理辦公室組織任務(wù)驗(yàn)收組、財(cái)務(wù)驗(yàn)收組通過了“極紫外光刻膠材料與實(shí)驗(yàn)室檢測(cè)技術(shù)研究”項(xiàng)目的任務(wù)驗(yàn)收和財(cái)務(wù)驗(yàn)收。

據(jù)悉，經(jīng)過項(xiàng)目組全體成員的努力攻關(guān)，完成了EUV光刻膠關(guān)鍵材料的設(shè)計(jì)、制備和合成工藝研究、配方組成和光刻膠制備、實(shí)驗(yàn)室光刻膠性能的初步評(píng)價(jià)裝備的研發(fā)，達(dá)到了任務(wù)書中規(guī)定的材料和裝備的考核指標(biāo)。項(xiàng)目共申請(qǐng)發(fā)明15項(xiàng)（包括國(guó)際5項(xiàng)），截止到目前，共獲得授權(quán)10項(xiàng)（包括國(guó)際授權(quán)3項(xiàng)）。彩色薄膜少了光刻膠，產(chǎn)生不了絢麗的畫面顯示器是人與機(jī)器溝通的重要界面。

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二、預(yù)烘和底膠涂覆（Pre-bake and Primer Vapor）

由于光刻膠中含有溶劑，所以對(duì)于涂好光刻膠的硅片需要在80度左右的。硅片脫水烘焙能去除圓片表面的潮氣、增強(qiáng)光刻膠與表面的黏附性、通常大約100 °C。這是與底膠涂覆合并進(jìn)行的。

底膠涂覆增強(qiáng)光刻膠(PR)和圓片表面的黏附性。廣泛使用: (HMDS)、在PR旋轉(zhuǎn)涂覆前HMDS蒸氣涂覆、PR涂覆前用冷卻板冷卻圓片。

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正性光刻膠的金屬剝離技術(shù)

正性膠的金屬剝離工藝對(duì)于獲得難腐蝕金屬的細(xì)微光刻圖形比常規(guī)的光刻膠掩蔽腐蝕法顯示了優(yōu)越性。本文首先對(duì)金屬剝離工藝中的正、負(fù)光刻膠的性能作了對(duì)比分析。認(rèn)為正性光刻膠除圖形分辨率高而適應(yīng)于微細(xì)圖形的掩膜外，它還具有圖形邊緣陡直， 去膠容易等獨(dú)特性能，比負(fù)性光刻膠更有利于金屬剝離工藝。然后給出了具體的工藝條件，并根據(jù)正性光刻膠的使用特點(diǎn)指出了工藝中的關(guān)鍵點(diǎn)及容易出現(xiàn)的問題。如正性光刻膠同GaAs表面的粘附性較差，這就要求對(duì)片子表面的清潔處理更為嚴(yán)格。一部分閃存產(chǎn)品前段器件形成時(shí)，需要利用前面存儲(chǔ)單元cell區(qū)域的層多晶硅與光刻膠共同定義摻雜的區(qū)域，由于光刻膠是作為高濃度金屬摻雜時(shí)的阻擋層，在摻雜的過程中，光刻膠的外層吸附了一定濃度的金屬離子，這使得光刻膠最外面形成一層堅(jiān)硬的外殼。為了高止光刻圖形的漂移控制光刻圖形的尺寸，對(duì)曝光時(shí)同特別是顯影液溫度提出了嚴(yán)格的要求。由于工藝中基本上不經(jīng)過腐蝕過程，膠膜的耐腐蝕性降到了次要地位。