化學氣相沉積法在金屬材料方面的使用

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化學氣相沉積法生產(chǎn)幾種金屬薄膜

金屬薄膜因其有著較好的高導電率、強催化活性以及極其穩(wěn)定引起了研究者的興趣。和生成金屬薄膜的其他方式相比，化學氣相沉積法有更多技術(shù)優(yōu)勢，所以大多數(shù)制備金屬薄膜都會采用這種方式?；瘜W氣相沉積的原理沈陽鵬程真空技術(shù)有限責任公司專業(yè)生產(chǎn)、銷售化學氣相沉積，我們?yōu)槟治鲈摦a(chǎn)品的以下信息。沉積金屬薄膜用的沉積員物質(zhì)種類比較廣泛，不過大多是金屬元素的鹵化物和有機化合物，比如COCl2、氯化碳酰鉑、氯化碳酰銥、DCPD化合物等等。

Goto 團隊在金屬薄膜用作電極材料上做了大量的工作。他們所使用的襯底材料有藍寶石、石英玻璃以及氧化釔穩(wěn)定化的二氧化鋯（YSZ）等等。在成沉積時往裝置中通入氧氣是為了消除掉原料因熱分解產(chǎn)生的碳，并制備出更有金屬光澤的金屬薄膜，如若不然則得到的就是銥碳簇膜，也就是納米等級被晶碳層所包裹的銥顆粒。沉積在YSZ 上面的銥碳簇膜有著較好的電性能和催化活性。4）涂層的化學成分可以隨氣相組成的改變而變化，從而獲得梯度沉積物或者得到混合鍍層。在比較低的溫度下，銥碳簇膜的界面電導率能達到純銥或者純鉑的百倍以上。金屬和炭組成的簇膜是一種輸送多孔催化活性強的簇膜，在電極材料上的使用在未來將很有潛力。

等離子體化學氣相沉積

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等離子體化學氣相沉積簡稱PCVD，是一種用等離子體激發(fā)反應(yīng)氣體,促進在基體表面或近表面空間進行化學反應(yīng),生成固態(tài)膜的技術(shù)。等離子體化學氣相沉積技術(shù)的基本原理是在高頻或直流電場作用下，源氣體電離形成等離子體，利用低溫等離子體作為能量源，通入適量的反應(yīng)氣體，利用等離子體放電，使反應(yīng)氣體激發(fā)并實現(xiàn)化學氣相沉積的技術(shù)。在待刻蝕硅片的兩邊，分別放置一片與硅片同樣大小的玻璃夾板，疊放整齊，用夾具夾緊，確保待刻蝕的硅片中間沒有大的縫隙。