熔融硅微粉系選用天然石英，經(jīng)高溫熔煉，冷卻后的非晶態(tài)二氧化硅作為主要原料，再經(jīng)獨(dú)特工藝加工而成的微粉。該產(chǎn)品純度高，具有熱膨脹系數(shù)小，內(nèi)應(yīng)力低，高耐濕性，低性等優(yōu)良特性。并具有以下特性：低的線膨脹系數(shù)；良好的電磁輻射性；耐化學(xué)腐蝕等穩(wěn)定的化學(xué)特性；合理有序、可控的粒度分布。主要使用于電子封裝、熔模鑄造、電氣絕緣、油漆涂料、硅橡膠等行業(yè)。

除了細(xì)度，硅微粉的球形化對(duì)硅微粉性能的影響也較大。球形硅微粉由于其顆粒呈球形而具有很好的流動(dòng)性，在流動(dòng)性不變的情況下，可以提高硅微粉的填充量，填充率越高，復(fù)合材料的熱膨脹系數(shù)就越小，導(dǎo)熱系數(shù)就越高。而且用球形硅微粉填充的塑封料應(yīng)力集中較小，強(qiáng)度較高，當(dāng)角形硅微粉的塑封料應(yīng)力集中為1時(shí)，球形硅微粉的應(yīng)力僅為0.6。此外，在塑封料的生產(chǎn)過程中，球形硅微粉較角形硅微粉摩擦系數(shù)小，對(duì)模具的磨損慢，可以將模具的使用壽命延長(zhǎng)一倍。

粉粒間相互磨搓作用較濕磨大，有利于得到圓整度好的球形粒子。此外，對(duì)同一物料，同一加工條件下，顆粒粒度越小，其顆粒的球形度越好。盡管如此，單純機(jī)械法和干磨法效果并不理想。

　　一般集成電路都是用光刻的方法將電路集中刻制在單晶硅片上，然后接好連接引線和管角，再用環(huán)氧塑封料封裝而成。塑封料的熱膨脹率與單晶硅的越接近，集成電路的工作熱穩(wěn)定性就越好。單晶硅的熔點(diǎn)為1415℃，膨脹系數(shù)為3.5PPM，熔融石英粉的為(0.3～0.5)PPM，環(huán)氧樹脂的為(30～50)PPM，當(dāng)熔融球形石英粉以高比例加入環(huán)氧樹脂中制成塑封料時(shí)，其熱膨脹系數(shù)可調(diào)到8PPM左右，加得越多就越接近單晶硅片的，也就越好。而結(jié)晶粉俗稱生粉的熱膨脹系數(shù)為60PPM，結(jié)晶石英的熔點(diǎn)為1996℃，不能取代熔融石英粉(即熔融硅微粉)，所以中集成電路中不用球形粉時(shí)，也要用熔融的角形硅微粉。這也是球形粉想用結(jié)晶粉為近球形不能成功的原因所在。效果不行，走不通；10年前，包括現(xiàn)在我國(guó)還有人走這條路，從以上理論證明此種方法是不行的。即塑封料粉不能用結(jié)晶粉取代。