壓敏電阻的失效方式

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常見的壓敏電阻失效方式有如下幾種：

1.熱擊穿：因壓敏電阻的荷電率太高，已經(jīng)劣化，內(nèi)部勻稱性差汲取的脈沖能量過大等緣故起因，或造成它的發(fā)熱大于散熱，引起熱瓦解（或局部熱瓦解），最終造成薄缺點(diǎn)穿孔而擊穿。

2.閃絡(luò)：指外部施加的瞬態(tài)電場強(qiáng)度太高，或外部絕緣水平差，在強(qiáng)電場作用下，沿元件則表發(fā)生放電。

3.開裂：由于元件本身存在結(jié)構(gòu)應(yīng)力，在元件吸取大量能量時(shí)，因熱應(yīng)力作用而導(dǎo)致開裂。偶爾也有短路或開路情況發(fā)生。

4.炸裂：由于元件內(nèi)部存在嚴(yán)肅缺陷？（如雜質(zhì)，氣孔等）在元件吸收了很大的脈沖能量時(shí)，局部電流會(huì)集，強(qiáng)大的熱應(yīng)力使元件炸裂。通常伴有開路失效環(huán)境。

以上各種失敗，以短路失效較常見。

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傳導(dǎo)抗擾度測試常見問題對(duì)策及整改措施

銘瑪電子12v監(jiān)控電源設(shè)計(jì)廠家本著以誠為本，質(zhì)量之上，以信立人的服務(wù)。

電源傳導(dǎo)抗擾度試驗(yàn)失敗緣故因由分析

根據(jù)差別的測試方法，RFI可顛好多種路徑進(jìn)入EUT并且對(duì)內(nèi)部電路形成干擾。

在規(guī)定測試頻段內(nèi)，差異頻率騷擾信號(hào)的路徑也差別；在RF頻率低端（150kHz~10MHz）.RFI告急通過電纜而直接進(jìn)入了EUT內(nèi)部。

在RFI頻率的（10~50MHZ）：沿被測電纜直接轉(zhuǎn)達(dá)進(jìn)入EUT內(nèi)部是RFI的緊張干擾情勢；被測電纜與EUT別的部門感容耦合服從已經(jīng)較高，成為不可忽略的干擾因素。

在RFI頻率的（50~230MHZ）：沿被測電纜直接轉(zhuǎn)達(dá)進(jìn)入EUT內(nèi)部的RFI依然是重要干擾情勢之一;被測電纜與EUT其他部分之間的感容耦合也成為產(chǎn)生干擾的告急因素；傳導(dǎo)抗擾度試驗(yàn)失敗緣故因由分析如下：射頻干擾（RFI）傳輸途徑GB/T17626中規(guī)定測試干擾注入方法有：1。同時(shí)呢，RFI通過空間輻射通報(bào)的服從已經(jīng)較高，特殊是80~230MHz，RFI通過空間輻射傳遞已成為干擾的另一主要因素。

東莞市銘瑪電子電器有限公司擁有多年的研發(fā)生產(chǎn)12v監(jiān)控電源設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)，我們不斷創(chuàng)新，開拓新市場，我們堅(jiān)持以人為本，以質(zhì)取勝，誠實(shí)守信，共同發(fā)展的經(jīng)營理念。

提高EUT內(nèi)部電路的抗擾性

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EUT內(nèi)部電路的處理處罰：

PCB輸入輸出接口（I/O）：I/O接口上使用獨(dú)立的地，這種獨(dú)立地與PCB上的其他部分地僅通過一點(diǎn)毗連，是專門為接口濾波器和屏蔽層提供的“干凈”地；在I/O地域?qū)ⅰ案蓛簟钡嘏c機(jī)殼以非常低的阻抗毗連起來；將全部I/O電纜會(huì)集在PCB設(shè)定的I/O地區(qū)；I/O接口驅(qū)動(dòng)電路排版時(shí)要靠近I/O連接器；對(duì)全部I/O接口舉行共模濾波；對(duì)交流220V的低電壓供電體系，壓敏電阻宜選擇470V閥值電壓的規(guī)格。PCB上的I/O濾波器應(yīng)安裝在驅(qū)動(dòng)電路和I/O連接器之間并只管靠近I/O連接器。

EUT內(nèi)部其他處置處罰步調(diào)

結(jié)構(gòu)與布局：包羅對(duì)總體布局的查驗(yàn)，電纜布線和分配，孔縫的位置查驗(yàn)和印刷版布局方位的檢驗(yàn)等。應(yīng)做到機(jī)箱上的縫隙或孔洞只管闊別敏感電路；不要有任何金屬物體直接穿過金屬屏蔽機(jī)箱；輸出與輸入端口妥善分隔，敏感電路和帶干擾信號(hào)電路盡大概闊別。

接地與搭接：接地是克制噪聲和防止干擾的告急步伐之一。

籌劃中應(yīng)殷勤計(jì)劃地線體系，并團(tuán)結(jié)利用濾波和屏蔽等措施可有效進(jìn)步裝備的抗干擾本事。

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