真空鍍膜機光學加工工藝發(fā)展情況及未來趨勢，中國的光學鍍膜零件冷加工在中華民國時期是非常稀少的，到二十世紀五十年代從蘇聯(lián)和東德國家引進光學加工技術，幾乎是過來的。 光學冷加工采用的是散粒磨料粗磨、精磨，古典式拋光。

加工效率低下，同時對操作者的技術要求較高，每個操作者都要經過多年的技術崗位培訓才能正式上崗工作。技術較好的工人可以從加工毛坯到拋光，獨自完成全線的工作。這時的光學冷加工主要依靠技術工人的技能和經驗加工零件，而工藝設計的作用在這個時期不是非常重要的。

LED納米鍍膜設備

工藝特點

（1）廣泛應用于金屬涂層、陶瓷涂層、無機涂層材料等。

（2）在產量方面，從單件到大批量皆可。

（3）有質量優(yōu)勢，沉積溫度低，薄膜成份易控，膜厚與淀積時間成正比，均勻性，重復性好，臺階覆蓋性優(yōu)良。

（4）工具涂層的生產效率不如PVD，具體取決于特定技術要求和輔助工藝。

化學氣相沉積曾是真空技術廣泛用于陶瓷沉積的種技術，特別是對工具涂層更是這樣。

鍍膜機工藝在太陽能運用方面的運用當需求有用地運用太陽熱能時，就要思考選用對太陽光線吸收較多、而對熱輻射等所導致的損耗較小的吸收面。太陽光譜的峰值大約在波長為2-20μm之間的紅外波段。

以下是制備的必要條件：

①  在沉積溫度下，反應物具有足夠的蒸氣壓，并能以適當?shù)乃俣缺灰敕磻遥?

② 反應產物除了形成固態(tài)薄膜物質外，都必須是揮發(fā)性的；

③ 沉積薄膜和基體材料必須具有足夠低的蒸氣壓。

CVD技術是作為涂層的手段而開發(fā)的，但不只應用于耐熱物質的涂·層，而且應用于高純度金屬的精制、粉末合成、半導體薄膜等，是一個頗具特征的技術領域，其工藝成本具體而定。

PCVD工藝具有廣泛的用途。

（1）超硬膜的應用（TiN、TiC、TiCN、（TiAl）N、C-BN等）PCVD法宜于在外形復雜、面積大的工件上獲得超硬膜，沉積速率可達4～10μm/h，硬度大于2000HV，繞鍍性好，工件不需旋轉就可得到均勻的鍍層。大量應用于切削刀具、磨具和耐磨零件。

（2）半導體元件上盡緣膜的形成過往半導體元件上的盡緣膜大多用SiO2，現(xiàn)在用SiN4 H2用PCVD法來形成Si3N4，Si3N4的盡緣性、性、耐酸性、耐堿性，比SiO2強，從電性能及其摻雜效率來講都是的，特別是當前的高速元件GaAs盡緣膜的形成，高溫處理是不可能的，只能在低溫下用等離子法進行沉積。