將納米氮化鈦添加到TiN/Al2O3復(fù)相納米陶瓷中，通過(guò)各種方法（如機(jī)械混合法）等將其混合均勻，得到的這種含有納米氮化鈦顆粒的陶瓷材料內(nèi)部便形成導(dǎo)電網(wǎng)絡(luò)。這種材料可作為電子元件應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)中。

（6）在鎂碳磚中添加一定量的TiN，能夠使鎂碳磚的抗渣侵蝕性得到很大程度的提高。

（7）氮化鈦是一種優(yōu)良的結(jié)構(gòu)材料，可用于噴汽推進(jìn)器以及火箭等。在軸承和密封環(huán)領(lǐng)域也多用氮化鈦合金，凸顯了氮化鈦優(yōu)異的應(yīng)用效果。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

PVD涂層與傳統(tǒng)化學(xué)電鍍（水電鍍）之間的異同之處在于，PVD涂層與傳統(tǒng)化學(xué)電鍍之間的相似點(diǎn)和差異相似，兩者均屬于表面處理類(lèi)別，一種材料以某種方式被另一種表面覆蓋。PVD涂層技術(shù)是當(dāng)前主要的應(yīng)用行業(yè)，PVD涂層技術(shù)的應(yīng)用主要分為兩類(lèi)：裝飾性涂層和工具涂層。電鍍工具的目的是提高工件的表面硬度和耐磨性，降低表面的摩擦因數(shù)，并增加工件的使用壽命，這方面主要用于各種切削工具，車(chē)刀（例如車(chē)刀，刨床，銑刀），鉆頭等，各種五金工具（例如螺絲刀，鉗子等），各種模具和其他產(chǎn)品。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

殘余氣體分子撞擊著真空室內(nèi)的所有表面，包括正在生長(zhǎng)著的膜層表面。在室溫和10-4Pa壓力下的空氣環(huán)境中，形成單一分子層吸附所需的時(shí)間只有2.2s?？梢?jiàn)，在蒸發(fā)鍍膜過(guò)程中，如果要獲得高純度的膜層，必須使膜材原子或分子到達(dá)基片上的速率大于殘余氣體到達(dá)基片上的速率，只有這樣才能制備出純度好的膜層。這一點(diǎn)對(duì)于活性金屬材料基片更為重要，因?yàn)檫@些金屬材料的清潔表面的粘著系數(shù)均接近于1。在10-2Pa～10-4Pa壓力下蒸發(fā)時(shí)，膜材蒸汽分子與殘余氣體分子到達(dá)基片上的數(shù)量大致相等，這必將影響制備的膜層質(zhì)量。 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制

膜強(qiáng)度的不良（膜弱）主要表現(xiàn)為：①擦拭或用專(zhuān)用膠帶拉撕，產(chǎn)生成片脫落；

②擦拭或用專(zhuān)用膠帶拉撕，產(chǎn)生點(diǎn)狀脫落；

③水煮15分鐘后用專(zhuān)用膠帶拉撕產(chǎn)生點(diǎn)狀或片狀脫落；

④用專(zhuān)用橡皮頭、1Kg力摩擦40次，有道子產(chǎn)生；

⑤膜層擦拭或未擦拭出現(xiàn)龜裂紋、網(wǎng)狀細(xì)道子。

改善思路：基片與膜層的結(jié)合是首要考慮的，其次是膜表面硬度光滑度以及膜應(yīng)力。膜強(qiáng)度不良的產(chǎn)生原因及對(duì)策：①基片與膜層的結(jié)合。一般情況，在減反膜中，這是膜弱的主要原因。由于基片表面在光學(xué)冷加工及清洗過(guò)程中不可避免地會(huì)有一些有害雜質(zhì)附著在表面上，而基片的表面由于光學(xué)冷加工的作用，總有一些破壞層，深入在破壞層的雜質(zhì) 次數(shù)用完API KEY 超過(guò)次數(shù)限制