微弧氧化設(shè)備

      微弧氧化設(shè)備有熱交換和制冷設(shè)備。微弧氧化過程在微弧氧化處理過程中，待氧化試樣與電源正極相連，作為陽極浸入電解液之中，不銹鋼電解槽作為陰極與電源負(fù)極相連。由于微弧氧化過程中工件表面具有較高的氧化電壓并通過較大的電解電流，使產(chǎn)生的熱量大部分集中于膜層界面處，而影響所形成膜層的質(zhì)量，因此微弧氧化必須使用配套的熱交換制冷設(shè)備，使電解液及時冷卻，保證微弧氧化在設(shè)置的溫度范圍內(nèi)進(jìn)行。可將電解液采用循環(huán)對流冷卻的方式進(jìn)行，既能控制溶液溫度，又達(dá)到了攪拌電解液的目的。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化技術(shù)

        微弧氧化處理形成的陶瓷氧化膜，與基體呈冶金結(jié)合，膜層致密，具有良好的耐磨、耐蝕性能。 氧化膜的硬度一般能達(dá)到600-1500HV(膜層厚度20-50μm），耐磨性能優(yōu)于硬質(zhì)陽極化膜及電鍍硬鉻。微弧氧化處理后的鋁基表面陶瓷膜層具有硬度高，耐蝕性強，絕緣性好，膜層與基底金屬結(jié)合力強，并具有很好的耐磨和耐熱沖擊等性能。封孔后耐鹽霧試驗水平可達(dá)2000小時以上。該氧化膜還具有良好的絕緣性，耐500V以上的高壓沖擊，且有效防止電偶腐蝕；氧化膜還具有良好的隔熱特性，是鋁合金活塞的首要選擇。

微弧氧化技術(shù)

       微弧氧化又稱微等離子體氧化、陽極火花沉積 或火花放電陽極氧化,，還有人稱之為等離子體增強電化學(xué)表面陶瓷化  。影響微弧氧化的因素（1）微弧氧化對鋁材要求不高，不管是含銅或是含硅的難以陽極氧化鋁合金，只要閥金屬比例占到40%以上，均可用于微弧氧化，且能得到理想膜層。該技術(shù)的基本原理及特點是：在普通陽極氧化的基礎(chǔ)上，利用弧光放電增強并ji活在陽極上發(fā)生的反應(yīng)，從而在以鋁、鈦、鎂金屬及其合金為材料的工件表面形成的強化陶瓷膜的方法。微弧氧化電源、微弧氧化生產(chǎn)線、微弧氧化圖片、微弧氧化技術(shù)設(shè)備