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發(fā)布時(shí)間:2021-08-13 06:46  
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IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因 IGBT在使用過(guò)程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,承受過(guò)負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有:
過(guò)電流損壞——鎖定效應(yīng)
IGBT為復(fù)合器件,其內(nèi)有一個(gè)寄生晶閘管,在規(guī)定的漏極電流范圍內(nèi),NPN的正偏壓不足以使NPN晶體管導(dǎo)通,當(dāng)漏極電流大到一定程度時(shí),這個(gè)正偏壓足以使NPN晶體管開通,進(jìn)而使NPN或PNP晶體管處于飽和狀態(tài),于是寄生晶閘管開通,柵極失去了控制作用,便發(fā)生了鎖定效應(yīng)。大多數(shù)過(guò)電壓保護(hù)的電路設(shè)計(jì)都比較完善,但是對(duì)于由高du/dt所導(dǎo)致的過(guò)電壓故障,基本上都是采用無(wú)感電容或者RCD結(jié)構(gòu)吸收電路。IGBT發(fā)生鎖定效應(yīng)后,集電極電流過(guò)大,造成了過(guò)高的功耗而導(dǎo)致器件損壞。

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IGBT在使用過(guò)程中經(jīng)常受到容性或感性負(fù)載的沖擊,承受過(guò)負(fù)荷甚至負(fù)載短路等,可能導(dǎo)致IGBT損壞。IGBT模塊在使用時(shí)的損壞原因主要有以下情況:過(guò)電流損壞——短路超時(shí)(>10us)
短路超時(shí)是指IGBT所承受的電流值達(dá)到或超出SCSOA(短路安全工作區(qū))所限定的1大邊界,比如4-5倍額定電流時(shí),必須在10us之內(nèi)關(guān)斷IGBT。如果此時(shí)IGBT所承受的1大電壓也超過(guò)器件標(biāo)稱值, IGBT必須在更短的時(shí)間內(nèi)被關(guān)斷。