晶格有序度的均勻性：

這決定了薄膜是單晶，多晶，非晶，是真空鍍膜技術(shù)中的熱點(diǎn)問題，具體見下。

主要分類有兩個(gè)大種類：

蒸發(fā)沉積鍍膜和濺射沉積鍍膜，具體則包括很多種類，包括真空離子蒸發(fā)，磁控濺射，MBE分子束外延，溶膠凝膠法等等

一、對于蒸發(fā)鍍膜：

一般是加熱靶材使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被蒸發(fā)出來，并且沉降在基片表面，通過成膜過程(散點(diǎn)-島狀結(jié)構(gòu)-迷走結(jié)構(gòu)-層狀生長)形成薄膜。

厚度均勻性主要取決于：

1、基片材料與靶材的晶格匹配程度

2、基片表面溫度

3、蒸發(fā)功率，速率

4、真空度

5、鍍膜時(shí)間，厚度大小。

組分均勻性：

蒸發(fā)鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調(diào)控的因素同上，但是由于原理所限，對于非單一組分鍍膜，蒸發(fā)鍍膜的組分均勻性不好。

晶向均勻性：

1、晶格匹配度

2、基片溫度

3、蒸發(fā)速率

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。想要提高可見度,有兩種方法,一是提高屏幕亮度,二是降低屏幕反射。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。對于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

手機(jī)真空防水鍍膜機(jī)蒸發(fā)鍍膜設(shè)備的工作原理, 蒸發(fā)鍍膜是在真空條件下通過電阻或電子束加熱鍍膜材料，使其原子或分子從表面蒸出，沉積到基片表面從而形成薄膜的技術(shù)，該技術(shù)具有使用范圍廣、薄膜厚度高度可控、技術(shù)成熟、成本低廉等特點(diǎn)。

真空蒸鍍技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用于OLED、有機(jī)光伏、光學(xué)膜、新型半導(dǎo)體、裝飾鍍膜等領(lǐng)域，為一種鍍膜技術(shù)。

防水納米液真空鍍膜技術(shù)的特點(diǎn)，真空鍍膜技術(shù)主要有真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍、真空束流沉積、化學(xué)氣相沉積等多種方法。除化學(xué)氣相沉積法外，其他幾種方法均具有以下的共同特點(diǎn)：

(1)各種鍍膜技術(shù)都需要一個(gè)特定的真空環(huán)境，制膜材料在加熱蒸發(fā)或?yàn)R射過程中所形成蒸氣分子的運(yùn)動(dòng)，不致受到大氣中大量氣體分子的碰撞、阻擋和干擾，并消除大氣中雜質(zhì)的不良影響。