氧化鋅（ZnO）單晶是具有六方晶系纖鋅礦型化合物的晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體，其可直接躍 遷，禁帶寬度(Eg 3. 37eV)大。此外，與其它半導(dǎo)體材料(GaN :21meV、ZnSe :20meV)相比， 其激子結(jié)合能(ZnO :60meV)非常大，因此，可期待將其用作的發(fā)光器件材料。氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。

氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu),閃鋅礦結(jié)構(gòu)(與金剛石類似,可看成氧原子FCC排列,4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置);NaC結(jié)構(gòu);CsCl結(jié)構(gòu)(氧原子簡單立方排列,鋅原子占據(jù)體心位置);纖鋅礦結(jié)構(gòu)(六方結(jié)構(gòu),氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列)。氧化鋅（ZnO）與GaN的物理性能非常接近，其晶格失配度很小，是GaN晶體生長zui理想的襯底材料。

氧化鋅（ZnO）晶體作為新一代寬禁帶、直接帶隙的多功能IBⅥA族半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)良的光電、導(dǎo)電、壓電、氣敏、壓敏等特性。 氧化鋅（ZnO）晶體在1975℃同成分熔化,在較高的溫度下非常不穩(wěn)定,不容易由熔體直接生長。目前主要是在盡可能低的溫度下用化學(xué)氣相輸運法、水熱法和助熔劑法生長。常見的氧化鋅（ZnO）屬六方晶系,纖鋅礦結(jié)構(gòu),點群為6mm,znO晶體中,Z離子和O離子沿c軸交替堆積,(O001)面終結(jié)于正電荷Z離子,(0001)面終結(jié)于負(fù)電荷O離子,因此,氧化鋅（ZnO）單晶具有極性。

氧化鋅（ZnO）晶體具有四種晶體結(jié)構(gòu)，閃鋅礦結(jié)構(gòu)（與金剛石類似，可看成氧原子FCC排列，4個鋅原子占據(jù)金剛石中晶胞內(nèi)四個碳原子的位置）；NaCl結(jié)構(gòu)；CsCl結(jié)構(gòu)（氧原子簡單立方排列，鋅原子占據(jù)體心位置）；纖鋅礦結(jié)構(gòu)（六方結(jié)構(gòu)，氧原子層和鋅原子層呈六方緊密排列）。ZnO晶體隨著環(huán)境條件的改變形成不同結(jié)構(gòu)的晶體。ZnO晶體中的化學(xué)鍵既有離子鍵的成分，又有共價鍵的成分，兩種成分的含量差不多，因而使得ZnO晶體中的化學(xué)鍵沒有離子晶體那么強，導(dǎo)致其在一定的外界條件下更容易發(fā)生晶體結(jié)構(gòu)上的改變。