四種常見(jiàn)的真空鍍膜材料

1.氧化物:一氧化硅SiO,二氧化硅SiO2,二氧化鈦TiO2,二氧化鋯ZrO2,二氧化鉿HfO2,一氧化鈦TiO,五氧化三鈦Ti3O5，五氧化二鈮Nb2O5，五氧化二鉭Ta2O5,氧化釔Y2O3，氧化鋅ZnO等高純氧化物鍍膜材料。

3.其它化合物：硫化鋅ZnS，硒化鋅ZnSe，氮化鈦TiN，碳化硅SiC，鈦酸鑭LaTiO3，鈦酸鋇BaTiO3，鈦酸鍶SrTiO3，鈦酸鐠PrTiO3，等真空鍍膜材料。

4.金屬鍍膜材料：高純鋁Al，高純銅Cu，高純鈦Ti，高純硅Si，高純金Au，高純銀Ag，高純銦In，高純鎂Mg，高純鋅Zn，高純鉑Pt，高純鍺Ge，高純鎳Ni,高純金Au，金鍺合金AuGe，金鎳合金AuNi，鎳鉻合金NiCr，鈦鋁合金TiAl，鋅鋁合金ZnAl，鋁硅合金AlSi等金屬鍍膜材料。

真空鍍膜過(guò)程的對(duì)于濺射類(lèi)鍍膜到底多重要？

可以簡(jiǎn)單理解為利用電子或高能激光轟擊靶材，并使表面組分以原子團(tuán)或離子形式被濺射出來(lái)，并且終沉積在基片表面，經(jīng)歷成膜過(guò)程，終形成薄膜。

濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發(fā)鍍膜的不同點(diǎn)在于濺射速率將成為主要參數(shù)之一。

濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對(duì)較差(因?yàn)槭敲}沖濺射)，晶向(外沿)生長(zhǎng)的控制也比較一般。以pld為例，因素主要有：靶材與基片的晶格匹配程度、鍍膜氛圍(低壓氣體氛圍)、基片溫度、激光器功率、脈沖頻率、濺射時(shí)間。

對(duì)于不同的濺射材料和基片，參數(shù)需要實(shí)驗(yàn)確定，是各不相同的，鍍膜設(shè)備的好壞主要在于能否精準(zhǔn)控溫，能否保證好的真空度，能否保證好的真空腔清潔度。MBE分子束外沿鍍膜技術(shù)，已經(jīng)比較好的解決了如上所屬的問(wèn)題，但是基本用于實(shí)驗(yàn)研究，工業(yè)生產(chǎn)上比較常用的一體式鍍膜機(jī)主要以離子蒸發(fā)鍍膜和磁控濺射鍍膜為主。

真空卷繞鍍膜機(jī)鍍層之間的結(jié)合力

真空卷繞鍍膜機(jī)鍍層之間的結(jié)合力主要與以下因素有關(guān)：

1、真空鍍膜設(shè)備底鍍層的種類(lèi)與性質(zhì)。一般認(rèn)為，銅層與多種金屬都具有好的結(jié)合力。含鐵量高達(dá)30％左右的高鐵鎳鐵合金，在酸銅液中也會(huì)產(chǎn)生置換銅層，故不能用于光亮酸銅打底。

2、真空鍍膜機(jī)底鍍層的光亮性。真空鍍膜鍍層越是光亮，與其他鍍層的附著力可能越差。

3、真空鍍膜設(shè)備底鍍層表面的清潔性。典型的是鍍硫酸鹽光亮酸銅后，往往形成有機(jī)膜鈍化層，應(yīng)作脫膜處理。不要輕信聲稱(chēng)鍍后無(wú)需除膜的酸銅光亮劑的宣傳，而在工藝流程設(shè)計(jì)時(shí)不考慮除膜工序。

因?yàn)榧词剐屡湟簳r(shí)可以不脫膜，隨著亮銅液中有機(jī)雜質(zhì)的積累或加入的光亮劑比例失調(diào)時(shí)，也會(huì)產(chǎn)生憎水的有機(jī)膜層。眾所周知，聚乙二醇幾乎是所有酸銅光亮劑中不可缺少的組分，而鍍層中聚乙二醇的夾附量越大，越容易生成憎水膜層。

4、真空鍍膜機(jī)底鍍層的鈍化性。越易鈍化的鍍層，其上鍍層的結(jié)合力越差。鎳是易鈍化金屬，鍍鎳過(guò)程中斷電對(duì)間稍長(zhǎng)，鎳鍍層在鍍鎳液中會(huì)發(fā)生化學(xué)鈍化；

若未能有效避免雙性電極現(xiàn)象(詳見(jiàn)第四講)；則作為陽(yáng)極部分的工件局部更會(huì)發(fā)生嚴(yán)重的電化學(xué)鈍化，在鍍多縣鎳時(shí)特別應(yīng)注意。鉻比鎳更易鈍化，所以鉻上鍍鉻必須有良好的活化。

鉻上鍍鉻的情況也不少，如：裝飾性套鉻一次深鍍能力差時(shí)作二次套鉻；為兼顧抗蝕性與耐磨性，在乳白鉻(基本無(wú)裂紋)上鍍硬鉻；鉬及鉬合金電鍍要求用鍍鉻打底等。