雙室磁控濺射系統(tǒng)

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設備簡介

主要特點是設備體積小，結構簡單緊湊易于操作，對實驗室供電要求低；該系列設備主要部件采用進口或者國內最優(yōu)的配置，從而提高設備的穩(wěn)定性；另外自主開發(fā)的智能操作系統(tǒng)在設備的運行重復性及安全性方面得到更好地保障。濺射鍍膜中的激光濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差(因為是脈沖濺射)，晶向(外沿)生長的控制也比較一般。 目前該系列有基本型、旗艦型、豪華型、尊享型4種不同配置可供選擇，可以根據客戶的不同需求進行配置，比較靈活；標配4只Φ2英寸永磁靶，4臺500W直流濺射電源，主要用來開發(fā)納米級單層及多層的金屬導電膜、半導體膜以及絕緣膜等。

磁控濺射的工作原理

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磁控濺射的工作原理是指電子在電場E的作用下，在飛向基片過程中與原子發(fā)生碰撞，使其電離產生出Ar正離子和新的電子；新電子飛向基片，Ar離子在電場作用下加速飛向陰極靶，并以高能量轟擊靶表面，使靶材發(fā)生濺射?？蛇x分子泵組或者低溫泵組合渦旋干泵抽氣系統(tǒng)，計算機控制系統(tǒng)的功能：對位移和樣品公轉速度隨時間的變化做實時采集，對位移誤差進行計算，以曲線和數值顯示。在濺射粒子中，中性的靶原子或分子沉積在基片上形成薄膜，而產生的二次電子會受到電場和磁場作用，產生E（電場）×B（磁場）所指的方向漂移，簡稱E×B漂移，其運動軌跡近似于磁控濺射一條擺線。若為環(huán)形磁場，則電子就以近似擺線形式在靶表面做圓周運動，它們的運動路徑不僅很長，而且被束縛在靠近靶表面的等離子體區(qū)域內，并且在該區(qū)域中電離出大量的Ar 來轟擊靶材，從而實現(xiàn)了高的沉積速率。隨著碰撞次數的增加，二次電子的能量消耗殆盡，逐漸遠離靶表面，并在電場E的作用下沉積在基片上。由于該電子的能量很低，傳遞給基片的能量很小，致使基片溫升較低。

磁控濺射是入射粒子和靶的碰撞過程。入射粒子在靶中經歷復雜的散射過程，和靶原子碰撞，把部分動量傳給靶原子，此靶原子又和其他靶原子碰撞，形成級聯(lián)過程。在這種級聯(lián)過程中某些表面附近的靶原子獲得向外運動的足夠動量，離開靶被濺射出來。