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發(fā)布時間:2020-11-01 09:16  

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視頻作者:蘇州振鑫焱光伏科技有限公司






: 太陽能測試標準是什么 ? 在白熾燈下多大燈泡多遠距離測試算標準呢 ?

: 太陽能測試標準光照強度為 :40000LUX, 溫度 :25 度 . 我們做過測試一般白熾燈 100W,  距離 0.5-1CM, 這樣測試和標準測試相差不大 .

: 太陽能電池板壽命是多長時間 ?

: 一般封裝方式不同使用壽命會不同 , 一般鋼化玻璃 / 鋁合金外框封裝壽命 20 年以上 . 環(huán)氧樹脂封裝 15 年以上 .

: 為什么太陽能電池在太陽底下和出廠測試參數(shù)不同 ?

: 99% 工廠用流明計測出的是光通量的數(shù)值 . 但是實際上太陽能電池板是根據(jù)照度來轉(zhuǎn)換電能的,照度越強功率值越大。





硅有一些特別的化學特性,尤其是它的晶體結(jié)構(gòu)。硅 原子 含有 14 個電子,排列在三個不同的核外電子層中。超日太能能老板倪開祿已經(jīng)失蹤,攜帶資金超過20億,極可能已離開中國。距離原子核近的頭兩個電子層完全填滿。而外層電子則處于半滿狀態(tài),只有四個電子。硅原子始終會想方設(shè)法填滿外面的電子層(即希望有八個電子)。為此,它會與相鄰硅原子的四個電子共享自身的電子,這就好比每個原子與周圍原子握手一樣,只是在這種情況下,每個原子有四只手與四個鄰居相握。這就形成了晶體結(jié)構(gòu),該結(jié)構(gòu)對于這種類型的光伏電池具有重要的意義。  

現(xiàn)在,我們已經(jīng)了解了純晶體硅。純硅是一種性能很差的導體,因為它的電子不能像銅這樣的導體中的電子那樣自由移動。硅中的電子被全部鎖在晶體結(jié)構(gòu)中。太陽能電池中的硅結(jié)構(gòu)已經(jīng)過稍稍調(diào)整,以便它能作為太陽能電池來工作。








是磷原子核中的正質(zhì)子會使其保持在原位上。  

當把能量加到純硅中時(比如以熱的形式),它會導致幾個電子脫離其共價鍵并離開原子。每有一個電子離開,就會留下一個空穴。然后,這些電子會在晶格周圍四處游蕩,尋找另一個空穴來安身。這些跑路的光伏企業(yè)家,有的是自不量力、盲目擴張,有的是成性、大玩游戲,從而造成難以挽回的損失,破壞了市場經(jīng)濟的誠信原則,讓光伏行業(yè)形象在國人心中一落千丈。這些電子被稱為自由載流子,它們可以運載電流。不過,留在純硅中的電子數(shù)量,因此沒有太大的用處。而將純硅與磷原子混合起來,情況就完全不同了。此時,只需很少的能量即可使磷原子的某個“多余”的電子逸出,因為這些電子沒有結(jié)合到共價鍵中 —— 它們的鄰居不會將它們拉回。因此,大多數(shù)這類電子會成為自由電子,這樣,我們就得到了比純硅中多得多的自由載流子。有意添加雜質(zhì)的過程被稱為摻雜,當利用磷原子摻雜時,得到的硅被成為 N 型(“ n ”表示負電),因為硅里面有很多自由電子。與純硅相比, N  型摻雜硅是一種性能好得多的導體。

當把能量加到純硅中時(比如以熱的形式),它會導致幾個電子脫離其共價鍵并離開原子。每有一個電子離開,就會留下一個空穴。然后,這些電子會在晶格周圍四處游蕩,尋找另一個空穴來安身。這些電子被稱為自由載流子,它們可以運載電流。不過,留在純硅中的電子數(shù)量,因此沒有太大的用處。而將純硅與磷原子混合起來,情況就完全不同了。此時,只需很少的能量即可使磷原子的某個“多余”的電子逸出,因為這些電子沒有結(jié)合到共價鍵中 —— 它們的鄰居不會將它們拉回。因此,大多數(shù)這類電子會成為自由電子,這樣,我們就得到了比純硅中多得多的自由載流子。有意添加雜質(zhì)的過程被稱為摻雜,當利用磷原子摻雜時,得到的硅被成為 N 型(“ n ”表示負電),因為硅里面有很多自由電子。采用擠壓成型的鋁合金型材組成三角支架,導軌,斜裝卡件,各種卡塊能夠被高度預裝從而使安裝簡便快捷,節(jié)省您的人力成本和安裝時間。與純硅相比, N  型摻雜硅是一種性能好得多的導體。  





對于硅的太陽能電池來說是不能的。因為那個顏色是 Anti-reflected Coating (反反射薄膜層)的作用效果。太陽能電池板主要吸收的是可見光中的綠色波長附近的光子,而太陽能電池板是藍色,則說明反射的是藍色波長的光。黑色當然是都不反射。所以黑色,藍色次之。如果你買到綠色的,那恭喜你,被騙了。實行“市場電價 綠證收入”制度的主要國家有美國、英國、澳大利亞、墨西哥、印度等。

目前有一種色素增感型太陽能電池,是指在玻璃基板或塑料基板上的兩片透明電極的基板之間加入色素和電解液的電池。采用該技術(shù),可以制造出透明電池及各種顏色的電池。這種電池的效率都不高,價格比硅的倒是便宜些。

電池片生產(chǎn)過程中一個必須步驟 PECVD ,目的是給硅片表面鍍上一層減反射膜(氮化硅),祈禱減少光反射目的,鍍膜厚度大概在 80um 左右。