IGBT測(cè)試裝置技術(shù)要求 （1）設(shè)備功能 IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?IGBT模塊檢測(cè)裝置是用于IGBT的靜態(tài)參數(shù)測(cè)試，在IGBT的檢測(cè)中，采用大電流脈沖對(duì)IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)。為提供穩(wěn)定的大電流脈沖，采用了支撐電容補(bǔ)償及步進(jìn)充電的方法，解決IGBT進(jìn)行VCE飽和壓降及續(xù)流二極管壓降的檢測(cè)問題。1 機(jī)臺(tái)可測(cè)試器件類型 二極管、MOSFET、IGBT單管及模組 * 3。

測(cè)量目的：對(duì)模塊的電壓降參數(shù)進(jìn)行檢測(cè), 可判斷模塊是否處于正常狀態(tài)。 功率模塊的VCE-IC特性曲線會(huì)隨著器件使用年限的增加而變化，飽和壓降Vcesat會(huì)逐漸劣化。因此，定期檢測(cè)可預(yù)防發(fā)現(xiàn)功率模塊故障。且變流器由多個(gè)模塊組成，由于個(gè)體差異，大電流情況下的參數(shù)也會(huì)存在個(gè)體差異。因此，測(cè)量大電流情況下的各個(gè)模塊實(shí)際技術(shù)參數(shù)，進(jìn)行跟蹤管理，可有效保障機(jī)車中間直流環(huán)節(jié)可靠運(yùn)行。 IGBT模塊VCE-IC特線（單管），Vcesat隨電流變大而增大。大功率Igbt模塊測(cè)試系統(tǒng)簡(jiǎn)介我公司所設(shè)計(jì)生產(chǎn)的半導(dǎo)體元件自動(dòng)測(cè)試系統(tǒng)具備下列測(cè)試能力：☆可單機(jī)獨(dú)立操作，測(cè)試范圍達(dá)2000V及50A。

為何老化的元件必須盡早發(fā)現(xiàn)及盡早更換？

當(dāng)功率元件老化時(shí)，元件的內(nèi)阻在導(dǎo)通時(shí)必定會(huì)加大，因而使溫度升高，并使其效能降低。長(zhǎng)期使用后若溫升過高時(shí)，會(huì)使元件在關(guān)閉時(shí)的漏電流急遽升高。(因漏電流是以溫度的二次方的曲線增加)，進(jìn)而使半導(dǎo)體的接口產(chǎn)生大量崩潰，而將此元件完全燒毀。當(dāng)元件損毀時(shí)，會(huì)連帶將其驅(qū)動(dòng)電路上的元件或與其并聯(lián)使用的功率元件一并損傷，所以，必須即早發(fā)現(xiàn)更換。系統(tǒng)的測(cè)試原理符合相應(yīng)的國(guó)家標(biāo)準(zhǔn)，系統(tǒng)為獨(dú)立式單元，封閉式結(jié)構(gòu)，具有升級(jí)擴(kuò)展?jié)撃堋?/p>

1）可調(diào)充電電壓源

用來(lái)給電容器充電，實(shí)現(xiàn)連續(xù)可調(diào)的直流母線電壓，滿足動(dòng)態(tài)測(cè)試、短路電流的測(cè)試需求。

?輸入電壓 380V±10%

?頻率 50HZ；

?輸出電壓 500～1500V可調(diào)（可多個(gè)電源組成）

?輸出電流 10A；

?電壓控制精度 1%

?電壓調(diào)整率 <0.1%；

?紋波電壓 <1%；

?工作溫度 室溫～40℃；

?保護(hù) 有過壓、過流、短路保護(hù)功能。