金屬蝕刻網(wǎng)片的熔煉過程：

1）一：這個(gè)階段主要是起弧。電爐通電后，電極發(fā)射熱電子，從陰極發(fā)出大量電子，高速電子可使中性的空氣分子離解成離子，從而空氣具有導(dǎo)電能力，產(chǎn)生電弧，釋放出大量的光和熱。

2）二：這個(gè)階段主要是電極穿井和極下爐料的熔化。因此純化學(xué)反應(yīng)性蝕刻擁有類似于濕式蝕刻的優(yōu)點(diǎn)及缺點(diǎn)，即高選擇比及等向性蝕刻。通電起弧后，電極下的爐料受熱熔化。隨著熔化的進(jìn)行，經(jīng)過15-25分鐘的時(shí)間，電極降到低位置。在此階段，電弧始終被爐料包圍，電弧所放出的熱量絕大部分用于加熱和熔化爐料，對爐蓋的熱輻射很少，應(yīng)該向爐內(nèi)輸送大功率。

3）三：這一階段主要是電極四周爐料的熔化和電極的回升。不銹鋼的耐腐蝕性取決于鉻，但是因?yàn)殂t是鋼的組成部分之一，所以保護(hù)方法不盡相同。隨著熔化的進(jìn)行，液面不斷上升，電極也就相應(yīng)地上升。在回升過程中，周圍的爐料逐漸熔化，當(dāng)爐內(nèi)只有爐坡和爐底還剩部分未熔爐料，即全部爐料熔化80%左右，這一階段結(jié)束。在這個(gè)階段，電弧在大部分時(shí)間中仍被冷料包圍，應(yīng)仍向爐內(nèi)輸送大功率。

4）四：這個(gè)階段主要是低溫爐區(qū)爐料的熔化。對于金屬蝕刻加工工藝而言，也是由多個(gè)工序、各工序的工藝參數(shù)、各工序規(guī)定的工具及其相關(guān)設(shè)備組合而成的一個(gè)完整的工藝規(guī)范統(tǒng)一體，并且相互之間是不可分割的。電弧是點(diǎn)熱源，爐膛內(nèi)的溫度分布不均勻，爐門附近，出鋼口兩側(cè)等處的爐料熔化較慢。應(yīng)及時(shí)將這些地方的冷料推入熔池。在此階段液面仍緩慢上升，鋼水溫度已經(jīng)升高，電弧開始暴露在液面上，輻射加強(qiáng)，應(yīng)該適當(dāng)降低輸入功率和電壓。

第二和第三階段是熔化過程的主要階段，占全部時(shí)間的70-80%，是決定熔化期時(shí)間長短的主要因素。

興之揚(yáng)蝕刻不銹鋼網(wǎng)片小編來向大家說說電漿干法蝕刻制程參數(shù)：

電漿蝕刻制程參數(shù)一般包括了射頻(RF)功率、壓力、氣體種類及流量、蝕刻溫度及腔體的設(shè)計(jì)等因素，而這些因素的綜合結(jié)果將直接影響蝕刻的結(jié)果。

射頻(RF)功率是用來產(chǎn)生電漿及提供離子能量的來源，因此功率的改變將影響電漿中離子的密度及撞擊能量而改變蝕刻的結(jié)果。我們有專門的樣品樣制工程組，能實(shí)現(xiàn)小批量產(chǎn)品的快速交貨，同時(shí)品質(zhì)又能得到保證。壓力也會影響離子的密度及撞擊能量，另外也會改變化學(xué)聚合的能力；蝕刻反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時(shí)間正比于壓力的大小，一般說來，延長反應(yīng)物滯留的時(shí)間將會提高化學(xué)蝕刻的機(jī)率并且提高聚合速率。氣體流量的大小會影響反應(yīng)物滯留在腔體內(nèi)的時(shí)間；增加氣體流量將加速氣體的分布并可提供更多未反應(yīng)的蝕刻反應(yīng)物，因此可降低負(fù)載效應(yīng)(LoadingEffect)；改變氣體流量也會影響蝕刻速率。原則上溫度會影響化學(xué)反速率及反應(yīng)物的吸附系數(shù)(AdsorptionCoefficient)，提高芯片溫度將使得聚合物的沉積速率降低，導(dǎo)致側(cè)壁的保護(hù)減低，但表面在蝕刻后會較為干凈；增加腔體的溫度可減少聚合物沉積于管壁的機(jī)率，以提升蝕刻制程的再現(xiàn)性。晶圓背部氦氣循環(huán)流動(dòng)可控制蝕刻時(shí)晶圓的溫度與溫度的均勻性，以避免光阻燒焦或蝕刻輪廓變形。其它尚須考慮的因素還有腔體的材質(zhì)，一般常見的材質(zhì)包含鋁、陶瓷、石英、硅及石墨等，不同的腔體材質(zhì)會產(chǎn)生不同的反應(yīng)產(chǎn)物并會改變蝕刻的直流偏壓。

興之揚(yáng)不銹鋼蝕刻小編給大家介紹超薄材料的蝕刻加工能力：

相對于沖壓工藝，特別是對一硬材質(zhì)材料和超薄材料，沖壓是存在限制和難點(diǎn)的：主要體現(xiàn)在沖壓會造成一些精密零件的材料變形，零件側(cè)邊緣會存在卷邊毛剌。所謂目標(biāo)性，就是通過某一工藝流程的全過程有一個(gè)明確的輸出，或者說要達(dá)到某一特定的目的。而這恰恰是有些零件精密產(chǎn)品所不允許的！而一旦沖壓模具確定好后，想要更改的話，就會造成大量的模具成本的浪費(fèi)。而蝕刻加工正好可以解決沖壓工藝所不能達(dá)到的要求。蝕刻加工可以針對超薄材料進(jìn)行隨進(jìn)的模版更改設(shè)計(jì)，而其成本在大批量生產(chǎn)的情況下，甚至可以忽略不計(jì)。而且蝕刻工藝不會對材料和零件產(chǎn)生毛剌。光滑的零件表面完全可滿足產(chǎn)品裝配的要求。

興之揚(yáng)吹風(fēng)機(jī)鋼網(wǎng)片小編給大家介紹濕式蝕刻對溶液濃度及溫度有什么要求：

濕式蝕刻的速率通?？山逵筛淖?nèi)芤簼舛燃皽囟扔枰钥刂啤Ｈ芤簼舛瓤筛淖兎磻?yīng)物質(zhì)到達(dá)及離開待蝕刻物表面的速率，一般而言，當(dāng)溶液濃度增加時(shí)，蝕刻速率將會提高。而提高溶液溫度可加速化學(xué)反應(yīng)速率，進(jìn)而加速蝕刻速率。

濕式蝕刻除了溶液的選用外，選擇適用的屏蔽物質(zhì)亦是十分重要的，它必須與待蝕刻材料表面有很好的附著性、并能承受蝕刻溶液的侵蝕且穩(wěn)定而不變質(zhì)。蝕刻不銹鋼帶硬度：不銹鋼帶，一般分為軟態(tài)，半硬，中硬，特硬四種。而光阻通常是一個(gè)很好的屏蔽材料，且由于其圖案轉(zhuǎn)印步驟簡單，因此常被使用。但使用光阻作為屏蔽材料時(shí)也會發(fā)生邊緣剝離或龜裂的情形。邊緣剝離乃由于蝕刻溶液的侵蝕，造成光阻與基材間的黏著性變差所致。解決的方法則可使用黏著促進(jìn)劑來增加光阻與基材間的黏著性，如Hexamethyl-disilazane(HMDS)。龜裂則是因?yàn)楣庾枧c基材間的應(yīng)力差異太大，減緩龜裂的方法可利用較具彈性的屏蔽材質(zhì)來吸收兩者間的應(yīng)力差。

蝕刻化學(xué)反應(yīng)過程中所產(chǎn)生的氣泡常會造成蝕刻的不均勻性，氣泡留滯于基材上阻止了蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，將使得蝕刻速率變慢或停滯，直到氣泡離開基材表面。蝕刻不銹鋼生產(chǎn)技術(shù)發(fā)展與展望：自1958年日本引進(jìn)森吉米爾20輥寬帶鋼軋機(jī)開始批量生產(chǎn)不銹鋼薄板以來已過了半個(gè)世紀(jì)，其間日本國內(nèi)的不銹鋼需求隨著經(jīng)濟(jì)發(fā)展得到穩(wěn)步增長。因此在這種情況下會在溶液中加入一些催化劑增進(jìn)蝕刻溶液與待蝕刻物表面的接觸，并在蝕刻過程中予于攪動(dòng)以加速氣泡的脫離。