反應性離子刻蝕

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反應性離子刻蝕 （reaction ionetching；RIE）是制作半導體集成電路的蝕刻工藝之一。在除去不需要的集成電路板上的保護膜時，利用反應性氣體的離子束，切斷保護膜物質的化學鍵，使之產生低分子物質，揮發(fā)或游離出板面，這樣的方法稱為反應性離子刻蝕。

離子束刻蝕機

離子束加工的應用范圍正在日益擴大，不斷創(chuàng)新。

目前用于改變零件尺寸和表面物理力學性能的離子束加工工藝主要有用于從工件上作去除加工的離子刻蝕加工、用于給工件表面添加的濺射鍍膜和離子鍍膜加工以及用于表面改性的離子注入加工。

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石英晶體諧振器制作

石英晶體的諧振頻率與其厚度有關。用機械研磨和拋光致薄的晶體，可制作低頻器件，但頻率超過20MHz時， 上述工藝已不適用因為極薄的晶片已不能承受機械應力。采用離子束拋光，可以不受此限制。石英晶體諧振器的金屬引線要求重量輕、低電阻，通常用鋁沉積在晶體表面溝槽中，以高電導率鋁作引線電極。用離子束濺射加工晶體_上的溝槽是有效的方法。

離子束刻蝕機由真空室、工作臺、快門、真空抽氣系統(tǒng)、供氣系統(tǒng)、水冷系統(tǒng)、電源和  電器系統(tǒng)等主要部分組成,圖1-1所示為離子束刻蝕機的工作原理圖。該機在正常工作  時,首先將真空室的壓力抽至2×10-3Pa或更低,再調節(jié)Ar氣流量,使真空室壓力保持  在1×10-2~2×10-2Pa(如需要輔助氣體,如O2、CH2等,則可按一定比例與之混合),  然后啟動離子源各電源,使離子源正常工作,從離子源引出一定能量和密度的離子束  被中和器發(fā)射的電子中和后,轟擊工件進行濺射刻蝕。