封裝測(cè)試的原因：

隨著芯片的復(fù)雜度原來越高，芯片內(nèi)部的模塊越來越多，制造工藝也是越來越先進(jìn)，對(duì)應(yīng)的失效模式越來越多，而如何能完整有效地測(cè)試整個(gè)芯片，在設(shè)計(jì)過程中需要被考慮的比重越來越多。Sherlock分析這些問題區(qū)域，會(huì)考慮回流和/或操作過程中的超應(yīng)力條件，并可以預(yù)測(cè)疲勞何時(shí)會(huì)導(dǎo)致過孔或貫穿孔、通孔、路由層和凸點(diǎn)下金屬層(UBM)接點(diǎn)之間的互連故障。設(shè)計(jì)、制造、甚至測(cè)試本身，都會(huì)帶來一定的失效，保證設(shè)計(jì)處理的芯片達(dá)到設(shè)計(jì)目標(biāo)，保證制造出來的芯片達(dá)到要求的良率，確保測(cè)試本身的質(zhì)量和有效。

表面貼片封裝是從引腳直插式封裝發(fā)展而來的，主要優(yōu)點(diǎn)是降低了PCB電路板設(shè)計(jì)的難度，同時(shí)它也大大降低了其本身的尺寸大小。用這種方法焊上去的芯片，如果不用工具是很難拆卸下來的。多芯片模塊系統(tǒng)。BEoL區(qū)的S1應(yīng)力分量(MPa)-獨(dú)立配置一旦組裝到主板上后，應(yīng)力區(qū)域特性接近在標(biāo)準(zhǔn)倒裝片配置上觀察到的應(yīng)力區(qū)域。它是把多塊的IC芯片安裝在一塊多層高密度互連襯底上，并組裝在同一個(gè)封裝中。它和CSP封裝一樣屬于已有封裝形式的派生品。WLCSP生產(chǎn)周期和成本大幅下降，芯片所需引腳數(shù)減少，提高了集成度；引腳產(chǎn)生的電磁干擾幾乎被消除，采用此封裝的內(nèi)存可以支持到800MHz的頻率，容量可達(dá)1GB，所以它號(hào)稱是未來封裝的主流。它的不足之處是芯片得不到足夠的保護(hù)。

幾年之前封裝本體面積與芯片面積之比通常都是幾倍到幾十倍，但近幾年來有些公司在BGA、TSOP的基礎(chǔ)上加以改進(jìn)而使得封裝本體面積與芯片面積之比逐步減小到接近1的水平，所以就在原來的封裝名稱下冠以芯片級(jí)封裝以用來區(qū)別以前的封裝。PWB兩面可以形成不同的電路，采用整體回流焊等方式可使兩面上搭載的全部元器件一次鍵合完成，便于自動(dòng)化操作，實(shí)裝的可靠性也有保證。封裝測(cè)試的分類和流程：封裝測(cè)試的分類方式有多種，如以封裝組合中芯片數(shù)目為依據(jù)可以分為單芯片封裝和多芯片封裝。這是普遍采用的封裝形式。封裝完成后進(jìn)行成品測(cè)試，通常經(jīng)過入檢、測(cè)試和包裝等工序，后入庫出貨。典型的封裝工藝流程為：劃片 裝片 鍵合 塑封 去飛邊 電鍍 打印 切筋和成型 外觀檢查 成品測(cè)試 包裝出貨。

所謂封裝測(cè)試其實(shí)就是封裝后測(cè)試,把已制造完成的半導(dǎo)體元件進(jìn)行結(jié)構(gòu)及電氣功能的確認(rèn)，以保證半導(dǎo)體元件符合系統(tǒng)的需求的過程稱為封裝后測(cè)試。WLCSP有著更明顯的優(yōu)勢(shì)：是工藝大大優(yōu)化，晶圓直接進(jìn)入封裝工序，而傳統(tǒng)工藝在封裝之前還要對(duì)晶圓進(jìn)行切割、分類；所有集成電路一次封裝，刻印工作直接在晶圓上進(jìn)行，設(shè)備測(cè)試一次完成，有別于傳統(tǒng)組裝工藝。WLP(WaferLevelPackaging)：晶圓級(jí)封裝，是一種以BGA為基礎(chǔ)經(jīng)過改進(jìn)和提高的CSP，直接在晶圓上進(jìn)行大多數(shù)或是全部的封裝測(cè)試程序，之后再進(jìn)行切割制成單顆組件的方式。Dual此封裝形式的特點(diǎn)是引腳全部在兩邊，而且引腳的數(shù)量不算多。它的封裝形式比較多，又可細(xì)分為SOT、SOP、SOJ、SSOP、HSOP及其他。