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種子是慢慢浮出熔化物的，種子和熔化物間的表面張力在子晶表面上形成一層薄的硅膜，然后冷卻。冷卻時，已熔化硅中的原子會按照子晶的晶體結構自我定向。硅錠完全長大時，它的初始直徑要比終晶圓片要求的直徑大一點。

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TI的RFAB、TSMC12廠5期和UMC12A廠3/4期(前12B廠)以及三星的6生產線和IM在新加坡的閃存工廠。SEMI的全球集成電路制

造廠觀測報告也揭示了一批即將破土動工的新建芯片制造廠的計劃，如TSMC14廠的第4期、可能動工的FlashAlliance的5廠及其他。